【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件制造方法以及半导体器件。
技术介绍
近年来，作为形成半导体器件的布线结构的方法，例如日本未审查专利申请公开No. 2010-80525 中公开的方法，以及 Jon Reid 和 JianZhou 的 “Electrofill Challengesand Directions for Future Device Generations，，，Advanced MetallizationConference, 2007, Japan/AsiaSession, 26-27 页中描述的方法是已知的。日本未审查专利申请公开No. 2010-80525描述了ー种方法，该方法包括如下步骤在其表面上包括凹部的晶圆的凹部的至少底表面和侧壁上形成Cu籽晶膜；形成Ru膜或TEOS膜以暴露位于凹部的底表面上的至少一部分Cu籽晶膜，且Ru膜或TEOS膜覆盖位于凹部的侧壁上的一部分Cu籽晶膜；为&1籽晶膜提供电流；通过电镀方法形成Cu镀膜，从而使Cu镀膜沉积在其上则形成有Ru膜的凹部中；对Cu镀膜执行热处理，且随后选择性移除Ru膜或TEOS膜。日本未审查专利申请公...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.17 JP 2011-0592161.一种半导体器件制造方法，包括 在形成在绝缘膜上的开口部的底表面和侧壁上以及除所述开口部之外的所述绝缘膜上形成包括第一金属的籽晶膜； 在所述籽晶膜上形成掩膜并用所述掩膜填充所述开口部； 移除一部分所述掩膜，同时保留在所述开口部的底表面上形成的所述籽晶膜上的所述掩膜，并且暴露形成在所述开口部的侧壁的上部以及除所述开口部之外的所述绝缘膜上的所述籽晶膜； 在位于所述开口部的侧壁的上部上以及除所述开口部之外的所述绝缘膜上的所述籽晶膜上形成覆盖膜，所述覆盖膜包括第二金属，所述第二金属的电阻率高于所述第一金属的电阻率； 通过在形成所述覆盖膜之后移除保留在所述开口部上的所述掩膜而暴露所述籽晶膜；以及 在暴露的籽晶膜上形成包括所述第一金属的镀膜。2.根据权利要求I所述的半导体器件制造方法， 其中所述绝缘膜是多层绝缘膜，在该多层绝缘膜中第一绝缘膜和第二绝缘膜以该顺序层置， 其中所述开口部形成为贯穿所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，以及其中在暴露所述籽晶膜的步骤中，暴露形成在所述第二绝缘膜内部的侧壁的上部上的所述籽晶膜，并且在所述第二绝缘膜内部保留所述掩膜。3.根据权利要求I所述的半导体器件制造方法， 其中在形成所述镀膜的步骤之后，移除形成在除所述开口部之外的所述绝缘膜上的所述覆盖膜和所述籽晶膜。4.根据权利要求I所述的半导体器件制造方法，还包括 在形成所述镀膜的步骤之后对所述镀膜执行热处理， 其中在对所述镀膜执行热处理的步骤中，所述第二金属扩散进所述镀膜中，并且形成包括所述第一金属作为主要成分的掩埋布线结构。5.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法， 其中所述掩埋布线结构具有双镶嵌结构。6.根据权利要求I所述的半导体器件制造方法， 其中所述开口部包括布线沟槽和耦合至所述布线沟槽的过孔部，以及其中在暴露所述籽晶膜的步骤中，暴露形成在所述布线沟槽的侧壁的...
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