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半导体器件制造方法以及半导体器件技术
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文档序号:7787434
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一种半导体器件制造方法以及半导体器件。其中半导体器件制造方法包括:在形成在层间绝缘膜上的开口部的底表面和侧壁上以及位于除开口部之外的层间绝缘膜上的场部上形成包括第一金属的籽晶膜;在籽晶膜上形成抗蚀剂并用该抗蚀剂填充开口部;移除一部分抗蚀剂,...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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