半导体结构的制作方法技术

本发明专利技术实施例提供半导体结构的制作方法，所述方法包括：提供键合为一体的半导体衬底和基板，所述半导体衬底和基板之间具有后段互连层，所述后段互连层内形成有焊垫；在所述半导体衬底或所述半导体衬底与所述后段互连层内形成环形通孔，所述环形通孔露出部分焊垫；在所述环形通孔内形成介质层，所述介质层至少填充满所述环形通孔；进行湿法刻蚀工艺，去除所述环形通孔包围的半导体衬底，形成露出所述焊垫的沟槽；在所述沟槽内形成互连层，所述互连层与所述焊垫电连接；在所述互连层上方形成与互连层电连接的导电凸块。本发明专利技术减小了对焊垫的损伤，提高了封装的可靠性；同时，简化了的工艺步骤，提高了生产效率，节约了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种。
技术介绍
随着半导体芯片的特征尺寸逐渐缩小，为了在有效的芯片面积内增加更多的功能，3D封装应运而生。所述3D封装采用焊球凸点将PCB基板与半导体衬底焊接，从而无需键合引线，使得封装后的芯片的体积更小，可以支持更高的数据传输速率。现有的3D封装技术需要首先提供符合エ艺需要的半导体结构，然后将所述半导体结构进行塑料封装或陶瓷封装。请结合图I 图4所示现有的的剖面结构示意图。首先，如图I所示，提供半导体衬底10。所述半导体衬底10 —侧的表面形成有半导体后段互连层11，所述半导体后段互连层11内形成有焊垫12 (PAD)。所述半导体衬底10内还形成有 半导体器件，所述半导体器件与所述焊垫12电连接。然后，继续參考图1，将所述半导体衬底10的半导体后段互连层11与基板13键合，使得所述半导体衬底10和基板13形成一体的初始半导体结构，之后，对所述半导体衬底10的远离所述基板13的ー侧进行减薄エ艺，使得减薄后的半导体衬底10的厚度满足エ艺要求。然后，请參考图2，从所述半导体衬底10的远离所述基板13的一侧进行等离子体刻蚀エ艺，在所述半导体衬底10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括 提供键合为一体的半导体衬底和基板，所述半导体衬底和基板之间形成有后段互连层，所述后段互连层内形成有焊垫； 在所述半导体衬底或所述半导体衬底与所述后段互连层内形成环形通孔，所述环形通孔露出部分焊垫； 在所述环形通孔内形成介质层，所述介质层至少填充满所述环形通孔； 以所述介质层为掩膜，进行湿法刻蚀工艺，去除所述环形通孔包围的半导体衬底，形成露出所述焊垫的沟槽； 在所述沟槽内形成互连层，所述互连层与所述焊垫电连接； 在所述互连层上方形成导电凸块，所述导电凸块与所述互连层电连接。2.如权利要求I所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺对所述半导体衬底和介质层的刻蚀选择比大于100 1，所述湿法刻蚀工艺利用酸性刻蚀溶液进行。3.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述酸性刻蚀溶液为含有氢氟酸和硝酸的混合溶液。4.如权利要求I所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述介质层的材质为电学绝缘材质，所述电学绝缘材质为氧化硅或掺杂的氧化硅。5.如权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：奚民伟，朱虹，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：