半导体结构制造技术

在优选实施例中，本发明专利技术提供了半导体结构，其具有半导体支撑件、置于支撑件的一部分之上的绝缘层，以及置于该绝缘层之上的半导体表面层。电子器件可以形成在该表面层之中，也可以形成于该衬底的未被该绝缘层覆盖的半导体体区域的暴露部分中。本发明专利技术还提供了制造这种半导体结构的方法，首先从衬底开始，该衬底包括置于连续绝缘层之上的半导体表面层，该绝缘层和表面层均置于半导体支撑件之上，通过转换衬底的至少一个选定区域来形成该衬底的暴露的半导体体区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在衬底中制造半导体器件的方法，该衬底包括置于绝缘层上的半导体 表面层，其中该绝缘层和半导体表面层置于部分暴露的半导体体区域上。本专利技术还涉及通 过上述方法制造的衬底。
技术介绍
通常在体半导体衬底上或者在SOI (绝缘体上硅)衬底上制造微电子器件。已经 提出了使用复合(或图案化)衬底，该衬底包括体区域和SOI区域。例如参见美国专利 No. 6，955，971。一般而言，制造这种图案化的衬底是困难的，因为需要紧邻体区域形成掩埋 氧化物的局部区域。在晶片键合方法的情况下，可以在顶晶片上或者基晶片上形成这样的 局部氧化区域，并且该局部氧化区域会引起所谓的“凹陷(dishing)”问题。在SIMOX(注氧 隔离)类型方法的情况下，这种局部氧化区域通常形成于原始晶片中，但是氧化硅比硅的 微分热膨胀会引起应力等。
技术实现思路
本专利技术提供了制造具有满意的晶体质量的图案化衬底的方法，以及由所提供的方 法制造的衬底。在优选实施例中，本专利技术的方法包括提供衬底，该衬底包含半导体支撑件、置于 该支撑件之上的连续绝缘层，以及置于该绝缘层之上的半导体表面层；转换该衬底的至少 一个选定区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：　　提供衬底，该衬底包含半导体体支撑件、置于该支撑件之上的连续绝缘层，以及置于该绝缘层之上的半导体表面层；　　转换该表面层和该绝缘层，以便暴露该半导体体支撑件的选定区域；以及　　在该支撑件的暴露区域中或该支撑件的暴露区域上或者在该表面层中或该表面层上同步形成电子器件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2008-6-30 0803697;US 2008-9-3 61/093,9021.一种制造半导体器件的方法，包括提供衬底，该衬底包含半导体体支撑件、置于该支撑件之上的连续绝缘层，以及置于该 绝缘层之上的半导体表面层；转换该表面层和该绝缘层，以便暴露该半导体体支撑件的选定区域；以及 在该支撑件的暴露区域中或该支撑件的暴露区域上或者在该表面层中或该表面层上 同步形成电子器件。2.如权利要求1所述的方法，其中转换的步骤包括去除该选定区域中的表面层和绝缘层。3.如权利要求1所述的方法，其中该绝缘层包括氧化硅，以及其中转换的步骤包括分 解该选定区域中的绝缘层。4.如权利要求1所述的方法，其中形成的步骤包括光刻步骤，在该光刻步骤中，图像形 成装置照射该暴露的半导体体区域的选定区域和该表面层的选定区域。5.如权利要求4所述的方法，其中该图像形成装置具有沿垂直于该衬底的轴的聚焦深 度，其对应于预定图像分辨率，以及其中该暴露的半导体体区域和该表面层之间的高度偏 移量小于该聚焦深度。6.如权利要求5所述的方法，其中该高度偏移量在50纳米以下。7.如权利要求5所述的方法，其中该高度偏移量对应于该表面层和该绝缘层的组合厚度。8.如权利要求4所述的方法，其中形成的步骤包括 蚀刻该暴露的半导体体区域和该表面层；以及 注入该暴露的半导体体区域和该表面层。9.如权利要求1所述的方法，其中该半导体体支撑件包括外延表面层，该外延表面层 在...

【专利技术属性】
技术研发人员：BY阮，C马聚尔，
申请(专利权)人：SOITEC绝缘体上硅技术公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]