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在优选实施例中，本发明提供了半导体结构，其具有半导体支撑件、置于支撑件的一部分之上的绝缘层，以及置于该绝缘层之上的半导体表面层。电子器件可以形成在该表面层之中，也可以形成于该衬底的未被该绝缘层覆盖的半导体体区域的暴露部分中。本发明还提供了制...
该专利属于Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司授权不得商用。

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