高压侧驱动器的半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种包括离子掺杂结的高压侧驱动器的半导体结构。离子掺杂结包括一衬底及一深阱。深阱形成于衬底内并具有一第一凹结构。离子掺杂结包括一连接至该深阱的第一凹结构的半导体区域，该半导体区域并具有与该衬底实质上相同的离子掺杂浓度。借此得以增加邻近电容结构凹区域的高压结的击穿电压。因此，得以降低芯片面积及制造高压侧驱动器的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体，特别涉及一种。
技术介绍
对高压侧驱动器而言，基本上，在高压结(HV junction)上覆盖过大的导电材料会降低高压结的击穿电压。如图1A所示，特别是当一凹型的导电电容结构113直接设置于高压结101的N型深阱(NWD)111上时，靠近凹型(或角落)区的高压结101的P型阱区(PW)S的击穿电压(breakdown voltage)会大幅降低。请参照图1B，其示出传统电源供应IC内的一种高压侧驱动器的半导体结构的局部剖面图。高压侧驱动器的半导体结构包括形成于P型衬底100内的高压结110，以及形成于P型衬底100上的高压电容结构120。高压结110包括一N型深阱(NWD)112以及多个P型阱(PW)114。高压电容结构120包括一第一金属层122及两个分离的第二金属层124、126。第二金属层124连接至一低电位，例如0V，而第二金属层126连接至一高电位+V，例如500V。通过连接金属130连接至第二金属层126的N+重离子掺杂区116形成于P型阱114之间。为了避免高压结的击穿电压被高压电容结构内的导体(金属)降低，高压电容结构120设置于P型衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压侧驱动器的半导体结构，包括一离子掺杂结，该离子掺杂结包括：一衬底；以及一深阱，形成于所述衬底内，所述深阱具有一第一凹结构；其特征在于，所述离子掺杂结包括一连接至所述深阱的第一凹结构的半导体区域，并且所述半导体 区域具有与所述衬底实质上相同的离子掺杂浓度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋秋志，黄志丰，
申请(专利权)人：崇贸科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]