高压侧驱动器的半导体结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种包括离子掺杂结的高压侧驱动器的半导体结构。离子掺杂结包括一衬底及一深阱。深阱形成于衬底内并具有一第一凹结构。离子掺杂结包括一连接至该深阱的第一凹结构的半导体区域，该半导体区域并具有与该衬底实质上相同的离子掺杂浓度。借此得以增加邻近电容结构凹区域的高压结的击穿电压。因此，得以降低芯片面积及制造高压侧驱动器的成本。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高压侧驱动器的半导体结构，包括一离子掺杂结，该离子掺杂结包括：一衬底；以及一深阱，形成于所述衬底内，所述深阱具有一第一凹结构；其特征在于，所述离子掺杂结包括一连接至所述深阱的第一凹结构的半导体区域，并且所述半导体 区域具有与所述衬底实质上相同的离子掺杂浓度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋秋志，黄志丰，
申请(专利权)人：崇贸科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]