【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体放大器。
技术介绍
近年来，移动通讯装置有了实质性的发展，主要是蜂窝式电话和个人数字助理。这些装置需要不断地增大增能效率(PAE)来获得长的电池寿命以支持增加通话时间。近年来，这些装置中的发送放大器已经向砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)技术发展。HBT提供的一个优点具有在小面积范围内实现高能密度的性能。基于两种、三种或四种合金的半导体化合物GaAs和磷化铟(InP)在这点上能很好地工作，且其所提供的优点优越于在大多数应用中发现的基于硅的器件。然而，半导体化合物的一个缺点是与硅相比，具有相对较差的热传导性，将导致各自器件的自加热，从而造成不稳定工作。除了减少的电池能量需求外，蜂窝式电话的尺寸和其中相应的电路也在不断地减小。然而，为了维持清晰的通讯信号，对装置发送功率的需求保持不变。减小的电路尺寸和发送功率需求一起导致功率密度的增加，当其与散热问题结合在一起时，将导致这些器件的较高工作温度并进一步降低器件的长期可靠性。为保持用于大功率应用的晶体管的性能，通常将晶体管分成许多以并联形式电连接的小晶体管。然而，由于晶体管和用于向晶体...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体放大器，包括半导体衬底；至少一个包括多个设置在衬底上的晶体管单元的放大器单元，每一个晶体管单元具有一个集电极；接触衬垫，该接触衬垫向晶体管单元的集电极提供信号输出；和至少一个集电极条，该集电极条形成跨越一组晶体管单元的空气桥，集电极条与集电极和接触垫电连接。2.根据权利要求1的半导体放大器，其中，晶体管单元是异质结双极晶体管单元。3.根据权利要求1的半导体放大器，其中，晶体管单元包括设置在衬底上的亚集电极，集电极与亚集电极电接触；与亚集电极电接触的集电极接触材料，集电极接触材料与集电极分开；与集电极电接触的基极；与基极电接触的基极接触材料；与基极电接触且与基极接触材料分开的发射极；和与发射极电接触的发射极接触材料，至少一个与集电极接触材料接触的集电极条。4.根据权利要求1的半导体放大器，其中，相邻的一对晶体管单元共享集电极接触材料和亚集电极。5.根据权利要求4的半导体放大器，其中，集电极条的一个桥与第一对相邻的晶体管单元和相邻的第二对晶体管单元的集电极接触材料相连接。6.根据权利要求5的半导体放大器，其中，集电极条的一个桥跨越第一对相邻的晶体管单元的一个晶体管单元和第二对相邻晶体管单元的一个晶体管单元。7.根据权利要求1的半导体放大器，还包括包括晶体管单元的前级放大器单元；对称的级间供给装置，配置该装置以接收前级放大器单元的信号输出；和至少一个集电极条，该集电极条在前级放大器单元中的晶体管单元的集电极与对称级间供给装置之间提供电连接，其中前级放大器的输出作为输入提供给至少一个放大器单元。8.根据权利要求1的半导体放大器，其中，排列晶体管单元以达到均匀的热分布。9.根据权利要求1的半导体放大器，其中，放大器包括GaAs。10.根据权利要求1的半导体放大器，其中，晶体管单元包括单个的台式结构。11.根据权利要求1的半导体放大器，还包括设置在半导体背面的接地面，在半导体正面至少设置一个放大器单元；多个与晶体管单元发射极电连接的电极；和多个穿过衬底的接地通路，接地通路与电极相连并允许直流(DC)和射频(RF)电流流向接地面。12.根据权利要求11的半导体放大器，其中，相邻的成对晶体管单元的发射极通过一个电极与相应的通路相连接。13.根据权利要求11的放大器，其中，晶体管单元按行排列，通路与晶体管隔行相邻。14.根据权利要求12的半导体放大器，其中，相邻的一对晶体管单元包括第一对相邻晶体管单元的一个晶体管单元和第二对晶体管单元的一个晶体管单元，且相邻的成对晶体管单元共享集电极接触材料和亚集电极。15.根据权利要求14的半导体放大器，其中，集电极条的一个桥与相邻的一对晶体管单元的集电极接触材料相连接。16.根据权利要求15的半导体放大器，其中，集电极条的一个桥跨越相邻的一对晶体管单元。17.根据权利要求11的半导体放大器，其中，放大器具有比连接在通路上的晶体管少的通路。18.半导体放大器包括衬底；至少一个包括多个设置在衬底上的晶体管单元的放大器单元，晶体管单元包括基极；多个与晶体管单元基极相连的电阻元件；和至少一个连接电阻元件的基极条，至少一个基极条形成有位于电阻元件之上的空气桥。19.根据权利要求18的半导体放大器，其中，晶体管单元是异质结双极晶体管单元。20.根据权利要求18的半导体放大器，其中，相邻的成对晶体管单元共享一个电阻元件。21.根据权利要求18的半导体放大器，其中，每一组晶体管单元具有与晶体管相关联的单独电阻元件。22.根据权利要求18的半导体放大器，其中，晶体管单元包括设置在衬底上的亚集电极；与亚集电极电接触的集电极，与集电极电接触的基极；与亚集电极电接触的集电极接触材料，与集电极接触材料分开的集电极；与基极电接触的基极接触材料；与基极电接触且与基极接触材料分开的发射极；和与发射极电接触的发射极接触材料，与基极接触材料电接触的基极条。23.根据权利要求18的半导体放大器，还包括偏压电路，该偏压电路调节基极偏压并向基极提供热反馈，基极条将电阻元件电连接到偏压电路。24.根据权利要求18的半导体放大器，还包括与晶体管单元基极相连的电容；和对称的级间供给装置，培植该装置以接收输入信号以及向电容提供输入信号。25.根据权利要求24的半导体放大器，还包括配置得向...
【专利技术属性】
技术研发人员：安东尼·F·奎格利塔，艾伦·W·汉森，托马斯·A·温斯洛，
申请(专利权)人：MACOM公司，
类型：发明
国别省市：
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