半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置，包括：半导体基片，其具有在其表面上形成的电极；第一绝缘树脂层，其被提供在所述半导体基片上并且具有限定在对应于所述电极的位置的第一开口；第一接线层，其被提供在所述第一绝缘树脂层上并且通过所述第一开口连接到所述电极；第二绝缘树脂层，其被提供在所述第一绝缘树脂层和所述第一接线层上，该第二绝缘树脂层具有第二开口，其被限定在所述半导体基片表面方向上不同于所述第一开口位置的位置；以及第二接线层，其被提供在第二绝缘树脂层上并且通过所述第二开口连接到所述第一接线层，其中所述第二接线层包括感应元件，并且所述第一绝缘树脂层的厚度与所述第二绝缘树脂层的厚度之和不小于５μｍ且不大于６０μｍ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，其中具有形成在如硅晶片的半导体基片上的感应元件的半导体的形成与其封装一起完成。对2004年7月29日提交的日本专利申请No.2004-221785和2004年10月18日提交的日本专利申请No.2004-302696要求优先权，其内容在此引入作为参考。
技术介绍
近年来，在高频半导体元件的制造中，为确保其阻抗匹配等，在半导体基片上形成感应元件，如螺旋感应器。然而在这样的半导体元件中，由于接线和半导体基片之间的寄生电容，部分由感应元件产生的电磁能量损失在基片或构成该感应元件的接线中。这种类型的能量损失在例如日本未审查专利申请，第一公布No.2003-86690中披露。这种类型的电磁能量损失的一个原因是接线与半导体基片之间相对近的垂直距离，其使得寄生电容的影响显著。为消除这样的损失，提出一种技术，其中在半导体基片和感应元件之间提供厚树脂层，以防止电磁能量的损失(见例如NIKKEI MICRODEVICES，2002年3月，第125-127页)。图1、2A和2B示出具有螺旋线圈的常规半导体装置的实例。图1是平面图，图2A是局部分解(broken)透视图，而图2B是沿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：半导体基片，其具有在其表面上形成的电极；第一绝缘树脂层，其被提供在所述半导体基片上，并且具有限定在对应于所述电极的位置的第一开口；第一接线层，其被提供在所述第一绝缘树脂层上，并且通过所述第一开口 连接到所述电极；第二绝缘树脂层，其被提供在所述第一绝缘树脂层和所述第一接线层上，该第二绝缘树脂层具有第二开口，其被限定在所述半导体基片表面方向上不同于所述第一开口位置的位置；以及第二接线层，其被提供在所述第二绝缘树脂层上，并 且通过所述第二开口连接到所述第一接线层，其中该第二接线层包括感应元件，并且所述第...

【技术特征摘要】
JP 2004-7-29 2004-221785;JP 2004-10-18 2004-3026961.一种半导体装置，包括半导体基片，其具有在其表面上形成的电极；第一绝缘树脂层，其被提供在所述半导体基片上，并且具有限定在对应于所述电极的位置的第一开口；第一接线层，其被提供在所述第一绝缘树脂层上，并且通过所述第一开口连接到所述电极；第二绝缘树脂层，其被提供在所述第一绝缘树脂层和所述第一接线层上，该第二绝缘树脂层具有第二开口，其被限定在所述半导体基片表面方向上不同于所述第一开口位置的位置；以及第二接线层，其被提供在所述第二绝缘树脂层上，并且通过所述第二开口连接到所述第一接线层，其中该第二接线层包括感应元件，并且所述第一绝缘树脂层的厚度与所述第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm。2.根据权利要求1的半导体装置，其中通过将所述第一接线层的厚度除以所述第二接线层的厚度而获得的值在0.3和0.5之间。3.根据权利要求1的半导体装置，其中所述感应元件是螺旋线圈。4.一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤在具有在其上提供的电极的半导体基片上形成第一绝缘树脂层；在所述第一绝缘树脂层中限定第一开口，使得所述电极被暴露；在所述第一绝缘树脂层上形成第一接线层，其通过所述第一开口连接到所述电极；在所述第一绝缘树脂层和所述第一接线层上形成第二绝缘树脂层；在半导体基片表面方向上不同于所述第一开口位置的位置形成第二开口，该第二开口的位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：糸井和久，佐藤正和，伊藤达也，
申请(专利权)人：株式会社藤仓，
类型：发明
国别省市：JP[日本]