锗硅肖特基二极管的制作方法技术

本发明专利技术涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的二氧化硅层，在二氧化硅层窗口内有锗硅外延层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅外延层的上面，在二氧化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的铝电极。制作步骤如下：先在硅衬底上热氧化二氧化硅层，并且光刻出窗口，然后采用超高真空化学气相沉积设备在窗口处生长锗硅外延层，再利用蒸发设备在锗硅外延层蒸镀金属镍，退火形成镍硅化合物层，并蒸镀铝电极和欧姆接触电极。本发明专利技术的锗硅肖特基二极管由于其锗硅外延层只在二氧化硅光刻窗口处生长，因此能有效地降低器件的反向漏电流，且器件制造无须任何隔离，简化了工艺，提高了集成度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体说是关于锗硅肖特基二极管原型器件及其制作方法。
技术介绍
肖特基二极管因其具有多数载流子工作、响应速度快和无少子积累等特征而被广泛的用于高频、高速、探测等方面。在本专利技术做出前，传统的锗硅肖特基二极管自下而上依次有欧姆接触电极，硅衬底层，锗硅外延层，开有窗口的二氧化硅层，在二氧化硅窗口中置有镍硅化合物层，二氧化硅窗口上复盖铝电极，这种结构的锗硅肖特基二极管的锗硅与二氧化硅接触面积大，界面缺陷多，导致器件漏电流大。制作过程中，采用先在硅衬底上生长外延锗硅层，再在外延锗硅层上面生长一层二氧化硅。由于锗硅材料在高温下会发生应变弛豫，因而只有采用低温沉积二氧化硅，这给随后的器件隔离及集成工艺带来较大限制。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种结构新颖的，以提高锗硅肖特基二极管原型器件的质量。本专利技术的锗硅肖特基二极管包括硅衬底、锗硅外延层、开有窗口的二氧化硅层、镍硅化合物层、铝电极以及欧姆接触电极，欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的二氧化硅层自下而上依次迭置，锗硅外延层和镍硅化合物层在二氧化硅层的窗口内，其中镍硅化合物层在锗硅外延层的上面，在二氧化硅层的窗本文档来自技高网...

【技术保护点】
锗硅肖特基二极管，包括硅衬底（１）、锗硅外延层（２）、开有窗口的二氧化硅层（３）、镍硅化合物层（４）、铝电极（５）以及欧姆接触电极（６），其特征在于欧姆接触电极（６）、硅衬底（１）和开有窗口的二氧化硅层（３）自下而上依次迭置，锗硅外延层（２）和镍硅化合物层（４）在二氧化硅层（３）的窗口内，其中镍硅化合物层（４）在锗硅外延层（２）的上面，在二氧化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层（４）接触的铝电极（５）。

【技术特征摘要】
1.锗硅肖特基二极管，包括硅衬底(1)、锗硅外延层(2)、开有窗口的二氧化硅层(3)、镍硅化合物层(4)、铝电极(5)以及欧姆接触电极(6)，其特征在于欧姆接触电极(6)、硅衬底(1)和开有窗口的二氧化硅层(3)自下而上依次迭置，锗硅外延层(2)和镍硅化合物层(4)在二氧化硅层(3)的窗口内，其中镍硅化合物层(4)在锗硅外延层(2)的上面，在二氧化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层(4)接触的铝电极(5)。2.权利要求1所述的锗硅肖特基二极管的制作方法，其特征是步骤如下1)将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，通入纯氧于900～1200℃下热氧化一层0.6～0.7μm的二氧化硅层；2)在二氧化硅层上光刻出窗口，清洗后放入超高真空化学气相沉积设备的生长室中，生长室抽真空至少10-5Pa；3)将生长有二氧化硅层的硅衬底加热至500～600℃，生长室通入纯硅源与纯锗烷，控制纯硅源与纯锗...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，吴贵斌，赵星，刘国军，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]