【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光纤被覆层形成装置以及光纤被覆层形成用模具。本申请基于2022年10月5日在日本申请的日本特愿2022-160995号主张优先权，将其内容援引于此。
技术介绍
1、为了在光纤形成被覆层，能够使用具备一对模具的光纤被覆层形成装置。在一对模具分别形成有模制槽。两个模制槽进行组合而构成模制空间。向模制空间填充液状树脂并使其固化，由此能够在光纤形成被覆层(例如参照专利文献1)。
2、专利文献1：日本特开2003-167150号公报
3、在上述的光纤被覆层形成装置中，有时在填充于模制空间的液状树脂中残留气泡。若气泡残留，则在被覆层的表面形成凹部(气泡痕迹)。形成有凹部的部位的被覆层的厚度薄，因此存在被覆层的保护功能变低的可能性。
技术实现思路
1、本专利技术的一个方式的课题在于提供一种能够抑制因在光纤的被覆层形成凹部所引起的保护功能的下降的光纤被覆层形成装置以及光纤被覆层形成用模具。
2、本专利技术的一个方式提供一种光纤被覆层形成装置，该光纤被覆层形成装置在光纤的外周面形成被覆层，其中，具备：光纤被覆层形成用模具；液状树脂供给部，向上述光纤被覆层形成用模具供给液状树脂；以及光源，向供给至上述光纤被覆层形成用模具的上述液状树脂照射紫外线，上述光纤被覆层形成用模具具备：上模，具有第一对置面；和下模，具有与上述第一对置面对置的第二对置面，在上述第一对置面形成第一槽，在上述第二对置面形成第二槽，上述第一槽和上述第二槽通过进行组合而构成供成为上述被覆层
3、根据该结构，气泡不易残留于主成形空间内的液状树脂。因此，凹部(气泡痕迹)不易形成于被覆层。由此，能够形成保护光纤的功能优异的被覆层。
4、也可以是上述上模及上述下模中的一方为具有紫外线透过性的模具，在具有上述紫外线透过性的模具构成的上述扩张空间的上表面或下表面形成有遮光膜，上述遮光膜遮挡从上述光源照射的上述紫外线。
5、根据该结构，能够抑制紫外线对扩张空间内的液状树脂的照射量，因此扩张空间内的液状树脂不易固化。由此，能够形成没有毛刺等不规则形状部分的被覆层。
6、也可以是上述上模及上述下模为具有紫外线透过性的模具，在上述扩张空间的上表面及下表面中的至少一方形成有遮光膜，上述遮光膜遮挡从上述光源照射的紫外线。
7、根据该结构，能够抑制紫外线对扩张空间内的液状树脂的照射量，因此扩张空间内的液状树脂不易固化。由此，能够形成没有毛刺等不规则形状部分的被覆层。
8、也可以是上述光纤被覆层形成装置在上述上模或上述下模形成导入口，上述导入口将上述液状树脂向上述主成形空间引导，上述扩张空间在上述长度方向上越远离上述导入口，宽度越大。
9、根据该结构，能够降低扩张空间中的液状树脂的流动阻力。因此，能够降低液状树脂的供给压力。由此，能够容易地形成被覆层。根据该结构，在距导入口较近的范围内，能够在抑制液状树脂的流动阻力的同时减小宽度，因此能够减小扩张空间的容积。由此，能够抑制液状树脂的使用量。
10、也可以是上述扩张空间的高度为2μm～50μm。
11、根据该结构，通过将扩张空间的高度设为2μm以上，能够使液状树脂易流通。通过将扩张空间的高度设为50μm以下，能够抑制在被覆层形成毛刺。
12、本专利技术的一个方式提供一种光纤被覆层形成用模具，该光纤被覆层形成用模具在光纤的外周面形成被覆层，其中，具备：上模，具有第一对置面；和下模，具有与上述第一对置面对置的第二对置面，在上述第一对置面形成第一槽，在上述第二对置面形成第二槽，上述第一槽和上述第二槽通过进行组合而构成供成为上述被覆层的材料的上述液状树脂填充的主成形空间，将与上述主成形空间的长度方向、和上述第一对置面及上述第二对置面的对置方向正交的方向作为宽度方向，在上述第一对置面和上述第二对置面中的至少一方形成有扩张凹部，上述扩张凹部构成从上述主成形空间向上述宽度方向扩张的扩张空间。
13、根据该结构，气泡不易残留于主成形空间内的液状树脂。因此，凹部(气泡痕迹)不易形成于被覆层。由此，能够形成保护光纤的功能优异的被覆层。
14、本专利技术的一个方式提供一种能够抑制因在光纤的被覆层形成凹部所引起的保护功能的下降的光纤被覆层形成装置以及光纤被覆层形成用模具。
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1.一种光纤被覆层形成装置，在光纤的外周面形成被覆层，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的光纤被覆层形成装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的光纤被覆层形成装置，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光纤被覆层形成装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的光纤被覆层形成装置，其特征在于，
6.一种光纤被覆层形成用模具，在光纤的外周面形成被覆层，其特征在于，具备：
【技术特征摘要】
1.一种光纤被覆层形成装置，在光纤的外周面形成被覆层，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的光纤被覆层形成装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的光纤被覆层形成装置，其特征在于，
4.根...
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