减少封装应力制造半导体器件的方法技术

一种半导体器件，它有一玻璃跃变温度低于１５０℃的消除应力层。通常此消除应力层位于器件的电互连系统上方而不在压焊盘区域的上方。这实质上就缓解了因热产生的应力，否则此应力将使器件中的电子元件损坏，这种工艺同时也使从外封装覆盖层４８伸出的导体组３２和３４上的最大应力发生在能够承受该应力的压焊区域。此消除应力层最好用光刻形成图案的方法加工。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，在此方法中，电绝缘层１４置于同半导体１０相接触的电互连系统１２上；窗口２４贯穿绝缘层并向下延伸到互连系统１２的压焊盘１６；每个压焊盘都和一组导体３２、３４的一个不同的压焊部分３６相接触，这组导体从窗口２４引出并离开互连结构；电绝缘覆盖层４８涂覆着半导体１０、互连系统１２、绝缘层１４和压焊部分３６并使每一导体组３２、３４中的３２的一部分从覆盖层４８中穿出；在此方法中消除应力层４６在绝缘层１４和绝缘封装覆盖层４８之间形成，此消除应力层位于互连系统１２的上方而不在形成压焊部分３６的压焊盘１６区域的上方，本方法的特征在于消除应力层是用如下方法形成的：在绝缘层１４上形成一仿刻图层４２、５０、５８，消除压焊盘１６以上的仿刻图层，仿刻图层的保留部分形成消除应力层４６，此消除应力层实质上是由具有橡胶特性的和电绝缘的材料组成，这些材料的玻璃跃变温度ＴＧ低于１５０℃。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈伦拉尔夫卡根，道格拉斯弗雷德里克里德利，丹尼尔詹姆斯贝尔顿，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]