倒装芯片型半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种倒装芯片型的半导体装置包括：在其一个表面上具有金属凸起（２）的半导体芯片（１），在其一个表面上具有焊盘电极（４）的内插器基片（３），和在半导体芯片和内插器基片之间的金属凸起与焊盘电极接触处的间隙中填充的底部填充树脂层（５），底部填充树脂层中具有多个分散的空隙（Ｖ’）。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
专利技术的领域本专利技术涉及。相关的技术说明在制造一种倒装芯片型半导体装置的一种第一现有技术的方法中(见JP-A-6-29334)，首先，使具有各金属凸起的倒装芯片型的半导体芯片面向下，然后安装在具有焊盘电极的一个内插器基片上，以使金属凸起与各相应的焊盘电极接触。然后，将包含二氧化硅或氧化铝的热固化树脂注入到半导体芯片和内插器基片之间的间隙中，使得在它们之间形成底部填充树脂层。接着，对内插器基片进行超声波振动，使得从底部填充树脂层中消除空隙。最后，对底部填充树脂层进行加热，以使底部填充树脂层硬化。这将在后文中详细说明。但是，在上述的第一现有技术方法中，因为在半导体芯片和内插器基片之间形成间隙后将底部填充树脂注入到该间隙中，由于间隙很窄，很难将底部填充树脂完全注入到间隙中。在制造倒装芯片型半导体的第二现有技术方法中(见JP-A-10-335373)，首先，将包含二氧化硅或氧化铝的热固化树脂涂敷在具有焊盘电极的内插器基片上，使得在其上形成底部填充树脂层。然后，使具有各金属凸起的倒装芯片型的半导体芯片面向下，安装在内插器基片上，以使金属凸起与相应的焊盘电极接触。接下来，对半导体芯片进行超声波本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装芯片型半导体装置，包括：半导体芯片（１），在它的一个表面上具有金属凸起（２）；内插器基片（３），在它的一个表面上具有焊盘电极（４）；底部填充树脂层（５），填充到在所述的半导体芯片１和内插器基片之间的所述金属凸起与所述焊盘电极接触的间隙中，所述的底部填充树脂层中具有多个分散的空隙（Ｖ’）。

【技术特征摘要】
JP 2000-7-25 223207/20001.一种倒装芯片型半导体装置，包括半导体芯片(1)，在它的一个表面上具有金属凸起(2)；内插器基片(3)，在它的一个表面上具有焊盘电极(4)；底部填充树脂层(5)，填充到在所述的半导体芯片1和内插器基片之间的所述金属凸起与所述焊盘电极接触的间隙中，所述的底部填充树脂层中具有多个分散的空隙(V’)。2.根据权利要求1的装置，其中所述分散的空隙处在半导体芯片的一侧上的所述底部填充树脂层的界面上。3.一种制造倒装芯片形半导体装置的方法，包括步骤将底部填充树脂层(5)涂敷在其上具有焊盘电极(4)的内插器基片(3)上；将具有金属凸起(2)的半导体芯片(1)安装在所述内插器基片上，使得所述金属凸起对着焊盘电...

【专利技术属性】
技术研发人员：池上五郎，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]