【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电气器件及其制造方法。集成半导体电路是最重要的广泛应用于各种领域的电气器件。从可靠性的角度来看，其中一个问题是湿气或其它杂质入侵埋置在模制件中的集成电路芯片的问题。入侵是通过在模制件中形成的列裂纹或缝隙进行的，这些裂纹和缝隙形成了从模制件外部通向集成电路芯片表面的通路。到达集成电路表面的湿气促使构成集成电路芯片的半导体产生不希望有的腐蚀，导致芯片不能正常工作。附图说明图1是说明缺陷如何在封装的集成电路器件中形成的一个例子。这种结构包括集成电路半导体芯片29、引线37和环氧树脂模制件，芯片29装在底架35上，借助于金质接线39与引线37进行电连接，集成电路芯片和底架35和引线37即装在环氧树脂模制件中。底架的表面通常是经过氧化处理的，而且其上形成有低价氧化物薄膜24、24′和32。在这种结构中，湿气往往会聚集在底架与模制件之间的界面附近。集成电路器件配置在电气线路板上时，钎焊是通过将集成电路器件在260℃的熔融焊料中浸渍3至10秒钟进行的。湿底迅速变化时，往往会在模制件中导致裂纹，如33和39所示的那样。此外被捕集在底架周围的水分会蒸发且引起...
【技术保护点】
一种电气器件，其特征在于，它包括：一器件本体，其表面经等离子体清洗处理过；和一外壳，由有机材料制成，封装着所述器件本体，以形成所述器件本体的封装件。
【技术特征摘要】
JP 1988-8-5 195685/881.一种电气器件，其特征在于，它包括一器件本体，其表面经等离子体清洗处理过；和一外壳，由有机材料制成，封装着所述器件本体，以形成所述器件本体的封装件。2.根据权利要求1的器件，其特征在于所述器件还包括一由绝缘材料制成的保护涂层，覆盖住所述器件本体的表面。3.根据权利要求2的器件，其特征在于，所述保护涂层由氮化硅制成。4.权利要求1的器件，其特征在于，所述器件本体是个借助接线与引线电连接的集成电路芯片。5.一种制造电气器件的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤在器件本体与至少一有关引线之间进行电连接;通过等离子体处理清洗所述器件本体的表面;用在机树脂封装所述器件本体和所述引线，使所述引线的一部分伸出有机树脂外壳外。6.根据权利要求5的方法，其特征在于，所述等离子体处理是通过在等离子体源气体中产生辉光放电进行的。7.根据权利要求6的方法，其特征在于，所述等离子体源...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，浦田一男，小山到，石田典也，佐佐木麻里，今任慎二，中下一寿，广濑直树，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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