超电导晶体管制造技术

技术编号:3223675 阅读:181 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种超电导晶体管,在外延生长在基板上的氧化物超电导体层上配置源极、漏极,在源极漏极之间的超电导体层上经外延生长的绝缘膜配置门极,超电导体的厚度为dc≤____________,其中ε为超电导体层的介电常数、n为超电导体层的载流子浓度,Vf为对应于超电导体层的禁带宽度的电压。又另一实施例相似,但在源极、漏极间的超电导体层的两面上经上述绝缘膜以对置方式配置门极,此时的超电导体层的厚度dc≤____________。(*该技术在2009年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用电场效应的大电流容量的超电导晶体管。在半导体的
中作为用于高速地对大容量的电流进行开关的元件广泛使用的有晶闸管、GTO(闸门电路断开)晶闸管、功率晶体管、功率MOS·FET(金属氧化物半导体场效应晶体管)等。晶闸管、GTO晶闸管、功率晶体管等所制造的元件已达1KA级,而这些元件由于不能避免因在半导体PN结处的阻挡层电压所引起的损耗,故在其导电时会发生大量发热或功率损耗,又开关时间也为30微秒左右,很慢。功率MOS·FET的开关时间为0.1微秒,较高速,但由于其导通时的电阻大而不能做到大容量化,故目前只能提供具有几安培左右的电流容量的晶体管。可是,在技术已比以前取得进步的现状下要求可使大容量电流、开关的高速性、导通时的功率损耗最小、电流切断时能完全关断等这些特性更加提高的元件。现已经提出了符合这些要求的使用如图3-图6所示的超电导体的元件。图3的元件是在如n-In Sb、n-In As的n型半导体11上以相干(コヒ-レンス)长L(例如0.5微米)的间隔来层叠上由In(铟)制造的超电导体组成的源极12和漏极13,并在半导体11的下侧经SiO2、Si3N4等的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超电导晶体管,其特征在于在外延生长在基板上的氧化物超电导体层上配置源极、漏极,同时在上述两电极之间的超电导体层上经外延生长的绝缘膜配置门极,令上述超电导体层的厚度为dc、超电导体层的介电常数为ε、超电导体层的载流子浓度为n及对应于超电导体层的禁带宽度的电压为Vf,则超电导体层的厚度dc为:dc≤√〔2(Vf)/n〕。

【技术特征摘要】
JP 1988-8-11 63-2004751.一种超电导晶体管,其特征在于在外延生长在基板上的氧化物超电导体层上配置源极、漏极,同时在上述两电极之间的超电导体层上经外延生长的绝缘膜配置门极,令上述超电导体层的厚度为dc、超电导体层的介电常数为ε、超电导体层的载流子浓度为n及对应于超电导体层的禁带宽度的...

【专利技术属性】
技术研发人员:鸣海荣基柏亨松井正和
申请(专利权)人:古河电气工业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利