【技术实现步骤摘要】
本技术大体涉及晶体管，且更特别地涉及对传输晶体管栅极电压的多电平(multi-level)控制。
技术介绍
场效应晶体管(FET)能够用作高效通道开关器件(pass through switchingdevice)，能够选择性地将源自信号源的信号连接到该信号的汇点(sink)。典型地，选择具有低ON电阻(Ron)和高OFF电阻(Roff)的通道FETs (pass through FETs)。低Ron使得信号几乎没有损失或不受FET所引起的影响地通过FET。 对于FET，Ron是栅源电压Vgs的函数。随着Vgs增加，同样增加的FET沟道尺寸减小了 FET的Ron。因此，Ron与Vgs呈相反关系。当然，为了作为通道FET的高效操作，Vgs能够仅增加到栅氧化层击穿电压或者其他FET的最大推荐操作电压。这样设置了 Vgs可设置多高的上限。由于典型地需要低Ron，用作通道开关器件的FET应该具有设置为微低于其栅氧化层击穿电压的Vgs。Vgs,作为栅源电压，同时依赖于栅极电压和源电压,特别地,栅极电压与源电压之间的差值。在作为通道开关器件的FET中，栅极电压被控制而源电压...
【技术保护点】
一种晶体管控制电路，用于提供从源到汇点的信号，其特征在于，该电路包括：具有导通状态和非导通状态的场效应晶体管，所述场效应晶体管具有栅极、源极和漏极；第一比较器，被配置成比较所述场效应晶体管的源极处的源电压与第一参考电压以及基于所述源电压和所述第一参考电压之间的差值提供第一输出；以及开关放大器，被配置成向所述场效应晶体管的栅极施加同所述第一比较器的第一输出成函数关系的栅极电压。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：科奈斯·P·斯诺登，
申请(专利权)人：快捷半导体苏州有限公司，快捷半导体公司，
类型：实用新型
国别省市：
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