【技术实现步骤摘要】
一种电学补偿方法和显示面板
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种电学补偿方法和显示面板。
技术介绍
有机发光显示器(英文名称:OrganicLight-EmittingDiode,简称:OLED)作为新一代显示器,是当今平板显示器研究领域的热点之一,与传统液晶显示器(英文名称:LiquidCrystalDisplay,简称:LCD)相比,OLED具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。目前,在手机、掌上电脑(英文名称:PersonalDigitalAssistant,英文名称:PAD)、数码相机等显示领域OLED已经开始逐渐取代传统的液晶显示屏。参照图1所示,图1为传统OLED中一个子像素的像素驱动电路图。子像素的驱动电路图由驱动TFTT1、开关TFTT2、电容C1、数据线Yn、扫描线Gm、阳极电源ELVDD、阴极电源ELVSS以及OLED器件组成。流过驱动晶体管T1的电流可同过如下公式来表示:I=k(Vgs-Vth)2;其中,Vth为驱动晶体管T1的阈值电压,Vgs为电容C1两极上的电压差,k为驱动晶体管T1的迁移率。然而,由于晶化工艺的局限性,不同的驱动晶体管(英文名称:ThinFilmTransistor,英文名称:TFT)的阈值电压以及迁移率会存在一定差异。这种差异会转化为OLED显示器件的电流差异和亮度差异,并被人眼所感知,即mura现象。并且OLED使用过程中驱动晶体管的阈值电压还会产生飘移,且由于OLED不同位置显示画面不同,因此OLED各部分驱动晶体管的阈值漂移量不同,会造成显示亮度差异,由于这种差异与之前显示的图像有 ...
【技术保护点】
一种电学补偿方法,用于对电路进行补偿,其特征在于,所述电路包括:驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管以及电容;所述驱动晶体管的第一极连接第一电平端,所述驱动晶体管的第二极连接所述第二晶体管的第一极,所述驱动晶体管的栅极连接所述第一晶体管的第二极以及所述电容的第一极,所述第一晶体管的第一极连接数据线,所述第一晶体管的栅极连接所述第一扫描信号端,所述电容的第二极连接所述第二晶体管的第一极,所述第二晶体管的第二极连接感应线,所述第二晶体管的栅极连接第二扫描信号端;所述方法包括:控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通并在所述数据线上施加第一电压;控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通,预设时间后检测所述感应线上的电压获取第一检测电压;控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通并在所述数据线上施加第二电压;控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通,预设时间后检测所述感应线上的电压获取第二检测电压;根据所述第一电压、所述第二电压、所述第一检测电压和所述第二检测电压获取所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率,并根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。
【技术特征摘要】
1.一种电学补偿方法,用于对电路进行补偿,其特征在于,所述电路包括:驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管以及电容;所述驱动晶体管的第一极连接第一电平端,所述驱动晶体管的第二极连接所述第二晶体管的第一极,所述驱动晶体管的栅极连接所述第一晶体管的第二极以及所述电容的第一极,所述第一晶体管的第一极连接数据线,所述第一晶体管的栅极连接所述第一扫描信号端,所述电容的第二极连接所述第二晶体管的第一极,所述第二晶体管的第二极连接感应线,所述第二晶体管的栅极连接第二扫描信号端;所述方法包括:控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通并在所述数据线上施加第一电压;控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通,预设时间后检测所述感应线上的电压获取第一检测电压;控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通并在所述数据线上施加第二电压;控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通,预设时间后检测所述感应线上的电压获取第二检测电压;根据所述第一电压、所述第二电压、所述第一检测电压和所述第二检测电压获取所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率,并根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:获取第一差值;所述第一差值为所述驱动晶体管的阈值电压与预存阈值电压的差值;判断所述第一差值的绝对值是否大于第一阈值;若是,则使用所述驱动晶体管的阈值电压替换所述预存阈值电压;所述根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿包括:根据预存阈值电压和驱动晶体管的迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:获取第二差值;所述第二差值为所述驱动晶体管的迁移率与预存迁移率的差值;判断所述第二差值的绝对值是否大于第二阈值;若是,则使用所述驱动晶体管的迁移率替换所述预存迁移率;所述根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿包括:根据预存迁移率和驱动晶体管的阈值电压对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一电压、所述第二电压、所述第一检测电压和所述第二检测电压获取所述驱动晶体管的阈值电压,包括:根据公式:获取所述驱动晶体管的阈值电压;其中,所述Vth为所述驱动晶体管的阈值电压;所述VS1为第一检测电压的电压值;所述VS2为第二检测电...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨飞,孟松,王雨,吴月,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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