【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片构成的一种半导体器件，芯片的集成电路上有个布线保护层。近几年来，手提式计算机的外部存储器采用了电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，这对通信功能具有重要的意义。一般EEPROM基本存储单元的结构如图4中所示。参看图4，源极303和漏极304以预定间距在P型半导体基片301上场氧化膜302所界定的部位形成。浮栅306与其四周围电绝缘，通过半导体基片301上的栅绝缘膜305和源极303与漏极304之间漏极304构成。控制栅308通过绝缘膜307在浮栅306上形成。浮栅306和控制栅308由掺杂量大的多晶硅制成。编号309表示场氧化膜302和控制栅308上形居的绝缘膜。在上述结构中，栅绝缘膜305在浮栅306与漏极304之间的部分制成薄达10纳米的厚度。擦除数据时，控制栅308上加上比漏极304电压高得多的正电压，这时电子从漏极304进入浮栅306中。写入数据时，改变加到控制栅108上电压的极性，浮栅306中的电子就转移到漏极304上。电子流借助隧道效应通过薄栅绝缘膜305。浮栅306中没有电子时，晶体管导通。浮栅306中有许多电子时，源...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，它包括：一半导体芯片（１），上面形成有至少一个集成电路（２，３）；一布线保护层（４ａ，４ｂ，２０３，２０３），以极小的间距在所述集成电路上分布形成，由导电的光防护材料制成，在所述集成电路工作时加上电源电压 ；和不正常情况检测装置（７），供监视加到所述布线保护层上的电压，并在所述监视的电压不正常时输出不正常情况检测信号。
【技术特征摘要】
JP 1997-4-22 104531/971.一种半导体器件，其特征在于，它包括一半导体芯片(1)，上面形成有至少一个集成电路(2，3)；一布线保护层(4a，4b，203，203)，以极小的间距在所述集成电路上分布形成，由导电的光防护材料制成，在所述集成电路工作时加上电源电压；和不正常情况检测装置(7)，供监视加到所述布线保护层上的电压，并在所监视的电压不正常时输出不正常情况检测信号。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，它还包括故障状态存储装置(8)，供存储所述不正常情况检测装置输出的不正常情况检测信号和存储所述集成电路的故障状态。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，它还包括复位装置(9)，用以根据所述不正常情况检测装置输出的不正常情况检测信号使所述集成电路停止不正常的操作。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述在所述集成电路上形成的布线保护层的一端接电源，另一端通过电...
【专利技术属性】
技术研发人员：草叶和幸，岩本诚，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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