形成晶体管器件的方法技术

本发明专利技术公开一种形成规格化晶体管组件的方法，其是在一半导体基底表面形成一栅极堆栈结构后，在栅极堆栈结构二侧形成屏蔽氧化层，并于半导体基底与栅极堆栈结构表面形成一硼硅玻璃层，再利用高温热制程将该硼硅玻璃层中的硼离子驱入该半导体基底内而形成浅离子掺杂区域，然后于栅极堆栈结构二形成侧壁间隙物结构，最后再以栅极堆栈结构与侧壁间隙物为屏蔽进行深离子布植，使其在该基底中形成深离子掺杂区域。因此，本发明专利技术是可防止离子因高温产生的横向扩散问题，以确保组件特性与电性品质。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体组件的制造方法，特别是关于一种，以避免离子产生横向扩散。
技术介绍
已知在制作半导体晶体管(transistor)时，是先在半导体基底10上形成具有栅氧化层12与多晶硅层14的栅极堆栈结构16，如图1(a)所示；接着，在进行浅掺杂漏极(LDD)的制作之前，在半导体基底10上沉积一硼硅玻璃层18，再利用一高温制程将硼硅玻璃层18中的硼离子驱入半导体基底10中，以形成如图1(b)所示的浅离子掺杂区域20，完成后移除该硼硅玻璃层18；然后请参阅图1(c)所示，于该栅极堆栈结构16两侧形成一侧壁间隙物22；再以此栅极堆栈结构16及侧壁间隙物22为屏蔽，进行一深离子掺杂步骤，如图1(d)所示，使其在半导体基底10中形成一深离子掺杂区域24，以作为源极与漏极，如此即可完成一半导体晶体管的制作。在上述的晶体管制程中，由于硼离子的迁移特性，在高温的热回火制程等环境下，易使硼离子产生横向扩散的现象，如此一来常会造成离子掺杂区域的尺寸较原先设计的范围为大，并造成信道长度缩小。当该组件进行操作时，便会引发漏电流、击穿现象(punch through)、热载子效应(hot car本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成规格化晶体管组件的方法，其特征是包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，其上形成具有栅氧化层与多晶硅层的栅极堆栈结构；　　　　在该栅极堆栈结构二侧形成一屏蔽氧化层；　　　　于该半导体基底与该栅极堆栈结构表面形成一硼硅玻璃层，并利用高温热制程，将该硼硅玻璃层中的硼离子驱入该半导体基底内，以形成浅离子掺杂区域；　　　　在该硼硅玻璃层表面且位于该栅极堆栈结构的二侧形成有侧壁间隙物，并去除多余的该硼硅玻璃层；及　　　　以该栅极堆栈结构、该硼硅玻璃层与侧壁间隙壁为屏蔽，进行一深离子掺杂步骤，使其在该半导体基底中形成一深离子掺杂区域，以作为源极与漏极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成规格化晶体管组件的方法，其特征是包括下列步骤提供一半导体基底，其上形成具有栅氧化层与多晶硅层的栅极堆栈结构；在该栅极堆栈结构二侧形成一屏蔽氧化层；于该半导体基底与该栅极堆栈结构表面形成一硼硅玻璃层，并利用高温热制程，将该硼硅玻璃层中的硼离子驱入该半导体基底内，以形成浅离子掺杂区域；在该硼硅玻璃层表面且位于该栅极堆栈结构的二侧形成有侧壁间隙物，并去除多余的该硼硅玻璃层；及以该栅极堆栈结构、该硼硅玻璃层与侧壁间隙壁为屏蔽，进行一深离子掺杂步骤，使其在该半导体基底中形成一深离子掺杂区域，以作为源极与漏极。2.根据权利要求1所述的形成规格化晶体管组件的方法，其特征是形成该屏蔽氧化层的步骤更包括利用高温氧化制程，在该半导体基底与...

【专利技术属性】
技术研发人员：金平中，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]