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本发明公开一种形成规格化晶体管组件的方法，其是在一半导体基底表面形成一栅极堆栈结构后，在栅极堆栈结构二侧形成屏蔽氧化层，并于半导体基底与栅极堆栈结构表面形成一硼硅玻璃层，再利用高温热制程将该硼硅玻璃层中的硼离子驱入该半导体基底内而形成浅离子...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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