【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种形成多晶硅层的方法，特别涉及形成具有较大晶粒尺寸的多晶硅层的方法。
技术介绍
由于多晶硅薄膜晶体管(polysilicon thin film transistor；poly-Si TFT)比起非晶硅(amorphous silicon)TFT有较高的电子迁移率、较快的反应时间、较高的分辨率，因此，目前多晶硅TFT已普遍应用在LCD中以驱动LCD。多晶硅TFT的制作方法一般采用低温多晶硅方法(LTPS；low temperaturepolysilicon)。图1a至图1c显示传统TFT阵列工艺中，以LTPS法形成多晶硅层的工艺剖面图。参照第la图，在一衬底100上依序形成一阻挡层120和一非晶硅层200。接着，使非晶硅层200进行结晶，例如使用准分子激光退火(ELA；excimer laser annealing)方式进行结晶。参照图1b，非晶硅层200被激光照射后，会熔化而成为非晶硅液体220。当非晶硅液体220冷却时，在非晶硅液体220/阻挡层120的界面上，会产生形核中心(nucleation center)(如图1b中的点所示)。如此...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成多晶硅层的方法，其包括形成一非晶硅层；对该非晶硅层进行预处理，使该非晶硅层的表面氧化成氧化硅层或氮化成氮化硅层；以及使该非晶硅层结晶而形成一多晶硅层。2.如权利要求1所述的形成多晶硅层的方法，其中该预处理使非晶硅层的表面氧化成氧化硅层。3.如权利要求1所述的形成多晶硅层的方法，其中该预处理使非晶硅层的表面氮化成氮化硅层。4.如权利要求2所述的形成多晶硅层的方法，其中该预处理使用含氧等离子体处理该非晶硅层，而形成氧化硅层。5.如权利要求4所述的形成多晶硅层的方法，其中该含氧等离子体为N2O等离子体。6.如权利要求2所述的形成多晶硅层的方法，其中该预处理将该非晶硅层浸泡在含氧溶液中，而形成氧化硅层。7.如权利要求6所述的形成多晶硅层的方法，其中该含氧溶液为双氧水(H2O2)或臭氧水(O3water)。8.如权利要求2所述的形成多晶硅层的方法，其中该预处理以UV灯在空气为介质的条件下照射非晶硅表面，而形成氧化硅层。9.如权利要求2所述的形成多晶硅层的方法，其中该预处理以炉管或炉子烘烤非晶硅表面，而形成氧化硅层。10.如权利要求3所述的形成多晶硅层的方法，其中该预处理使用含氮等离子体处理该非晶硅层，而形成氮化硅层。11.如权利要求10所述的形成多晶硅层的方法，其中该含氮等离子体为N2等离子体或NH3等离子体。12.如权利要求3所述的形成多晶硅层的方法，其中该预处理将非晶硅层浸泡在含氮溶液中，而形成氮化硅层。13.如权利要求3所述的形成多晶硅层的方法，其中该预处理以炉管或炉子烘烤非晶硅表面，而形成氮化硅层。14.如权利要求1所述的形成多晶硅层的方法，其中该氧化硅层或氮化硅层的厚度为1埃至50埃。15.如权利要求14所述的形成多晶硅层的方法，其中该氧化硅层或氮化硅层的厚度为5埃至25埃。16.一种制造多晶硅薄膜晶体管的方法，其包括在一衬底上形成一非晶硅层；对该非晶硅层进行预处理，使该非晶硅层的表面氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭佳添，廖龙盛，曹义昌，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。