可改善组件特性的高压组件的制造方法技术

本发明专利技术揭露一种可改善组件特性的高压组件的制造方法，其系在一已形成有漂移区域的半导体基底上形成一薄氧化层、一氮化硅层及一图案化光阻层，并以此图案化光阻层为掩膜，蚀刻氮化硅层后去除该图案化光阻层；接着在半导体基底上形成一磷玻璃层，并将磷离子高温驱入其下方基底中而形成一磷离子掺杂区，完成后即可去除磷玻璃层、氮化硅层及薄氧化层；然后在半导体基底上依序形成场氧化层、栅极结构与源极／偶极等组件。本发明专利技术利用具有梯度分布磷离子掺杂区的漂移区域结构来提高崩溃电压，并增高组件的驱动电流。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种半导体组件的制造方法，特别是关于一种可改善组件特性并增进组件功效的高压组件(High Voltage Device)制造方法。
技术介绍
高压组件是应用在电子产品中需要以高电压操作的部份，通常在一般集成电路的架构中，有些产品在输入/输出(I/O)区域中的控制组件会比在核心组件区域中的控制组件所需的电压更大，且此输入/输出区域必须具有能耐更高电压的组件，以防止组件在高压下的正常操作不会发生电压崩溃(Breakdown)等现象；所以高压组件的结构与一般组件并不相同。习知的半导体组件如具有高压金氧半导体组件的结构时，其结构请参阅图1所示，此高压金氧半导体组件的制造流程为先在一P型半导体基底10中形成一N型阱(N-Well)，亦同时形成高压组件中的N型漂移(N-drift)区域12；接着在半导体基底10上依序形成有场氧化层(FieldOxide)14及包含栅极氧化层(Gate Oxide)162与多晶硅层164的栅极结构16；最后再利用离子植入技术在半导体基底10中形成N+型离子掺杂区域，以作为源极18与漏极20。此种习知制造方法，其漂移区域12沿着信道表面处且靠近图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可改善组件特性的高压组件的制造方法，其系包括下列步骤：提供一半导体基底，其中已形成有漂移区域；在该半导体基底上形成一薄氧化层及一氮化硅层，并形成一图案化光阻层于该氮化硅层表面；以该图案化光阻层为掩膜，蚀刻该氮化硅 层，而后去除该图案化光阻层；在该半导体基底上形成一磷玻璃层，并进行高温驱入使该磷玻璃层中的磷离子扩散至其下方该基底中而形成一磷离子掺杂区；去除该磷玻璃层、该氮化硅层及该薄氧化层；在该半导体基底上依序形成场氧化层与栅极 结构；及在该半导体基底中形成重离子掺杂区域，以作为源极与漏极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种可改善组件特性的高压组件的制造方法，其系包括下列步骤提供一半导体基底，其中已形成有漂移区域；在该半导体基底上形成一薄氧化层及一氮化硅层，并形成一图案化光阻层于该氮化硅层表面；以该图案化光阻层为掩膜，蚀刻该氮化硅层，而后去除该图案化光阻层；在该半导体基底上形成一磷玻璃层，并进行高温驱入使该磷玻璃层中的磷离子扩散至其下方该基底中而形成一磷离子掺杂区；去除该磷玻璃层、该氮化硅层及该薄氧化层；在该半导体基底上依序形成场氧化层与栅极结构；及在该半导体基底中形成重离子掺杂区域，以作为源极与漏极。2.如权利要求1所述的可改善组件特性的高压组件的制造方法，其特征在于，该漂移区域为N型淡掺杂阱区。3.如权利要求2所述的可改善组件特性的高压组件的制造方法，其特征在于，该N型淡掺杂阱区是利用100KeV至180KeV的能量，将N型掺质植入于该半导体基底中并经热制程使掺杂驱入而形成。4.如权利要求2所述的可改善组件特性的高压组件的制造方法，其特征在于，该N型...

【专利技术属性】
技术研发人员：高荣正，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]