一种薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管的制造方法，此方法利用激光回火进行热处理，使上述岛状非晶硅图案转变成为一复晶硅岛状图案，并同时活性化上述离子掺杂区域的离子，再在上述复晶硅岛状图案上形成一钝化层，接着，选择性刻蚀上述钝化层，以形成一露出上述离子掺杂区域的开口。然后，形成一填入上述开口的金属层，以形成源极／漏极电极。最后，本发明专利技术形成源极／漏极电极之后才进行氢离子处理，以减少复晶硅之中的悬键。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种薄膜晶体管(thin film transistor)及显示器(display)的制造方法，特别是一种有关于复晶硅薄膜晶体管及显示器的制造方法。
技术介绍
复晶硅薄膜晶体管具有高载子移动率(high carrier mobility)、低温感度(low temperature sensitivity)及较佳的驱动能力而适用于高速组件(high speed elements)。复晶硅薄膜晶体管显示器则是具有快速显示、高亮度的特性，且可将驱动及控制电路形成在基板上，因此，复晶硅薄膜晶体管显示器已成为面板市场新的主流。为了得到品质良好的复晶硅，非晶硅结晶化成为复晶硅的过程最好在600℃以上的温度，甚至更高的温度进行回火，然而高温回火必须搭配熔点极高的石英基板，如此导致基板的成本过高。为了降低基板的成本，本行业采用价格较低的玻璃基板取代上述石英基板，因而发展出低温复晶硅薄膜晶体管(low temperature polysilicon；LTPS)的制造技术，如何减少热工序对于玻璃基板的损害，成为重要的课题。美国公开专利编号2004/0023446 A1揭示一种薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括：在一基板上方形成一非晶硅层，该非晶硅层之中含有第一浓度的氢原子；进行第一次热处理，使该非晶硅层之中含有第二浓度的氢原子，该第二浓度小于该第一浓度；图案化该非晶硅层，以形成一岛 状非晶硅图案；在该岛状非晶硅图案上覆盖一绝缘层；在该绝缘层上形成一栅极电极；以该栅极电极为光掩膜，且植入离子于该岛状非晶硅图案，以在该岛状非晶硅图案内形成离子掺杂区域；利用激光回火进行第二次热处理，使该岛状非 晶硅图案转变成为一复晶硅岛状图案，并同时活性化该离子掺杂区域之离...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括在一基板上方形成一非晶硅层，该非晶硅层之中含有第一浓度的氢原子；进行第一次热处理，使该非晶硅层之中含有第二浓度的氢原子，该第二浓度小于该第一浓度；图案化该非晶硅层，以形成一岛状非晶硅图案；在该岛状非晶硅图案上覆盖一绝缘层；在该绝缘层上形成一栅极电极；以该栅极电极为光掩膜，且植入离子于该岛状非晶硅图案，以在该岛状非晶硅图案内形成离子掺杂区域；利用激光回火进行第二次热处理，使该岛状非晶硅图案转变成为一复晶硅岛状图案，并同时活性化该离子掺杂区域之离子；在所述复晶硅岛状图案上形成一钝化层；选择性刻蚀该钝化层，以形成一露出该离子掺杂区域的开口；以及形成一填入该开口的金属层，以形成源极/漏极电极。2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于还包括在形成该非晶硅层之前，在该基板表面形成一底部涂覆层。3.根据权利要求2所述的一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于形成该底部涂覆层方法还包括利用化学气相沉积法在该基板上形成氮化硅或二氧化硅层。4.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于形成该非晶硅的方法包括化学气相沉积法。5.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于还包括以炉管进行第一次热处理，而处理的时间介于0.5小时至2小时之间。6.根据权利要求5所述的一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于该第一次热处理系在350-500℃之间进行。7.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于形成该绝缘层的方法包括利用离子增强型化学气相沉积法于该岛状非晶硅图案表面形成二氧化硅层。8.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于形成该栅极电极的方法包括在该绝缘层上形成一导电层；以及图案化该导电层以形成一栅极电极。9.根据权利要求8所述的一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于该导电层选自由铝、钛、钽与钼构成的族群或其组合。10.根据权利要求8所述的一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄添钧，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]