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本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，此方法利用激光回火进行热处理，使上述岛状非晶硅图案转变成为一复晶硅岛状图案，并同时活性化上述离子掺杂区域的离子，再在上述复晶硅岛状图案上形成一钝化层，接着，选择性刻蚀上述钝化层，以形成一露出上述离子掺杂区...
该专利属于友达光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。

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