薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底及其制造方法技术

一种ＴＦＴ－ＬＣＤ的阵列基底及其制造方法。依序形成透明导体层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层以及牺牲层于基底上。利用第一道光罩，形成具有不同厚度的光阻图案于部分牺牲层上。以光阻图案为罩幕，经由一系列蚀刻程序而定义出包含栅极的栅极线、位于栅极正上方的信道层、位于栅极线端部的栅极垫、像素电极以及源极垫。形成绝缘间隙壁于栅极与栅极线的侧壁上。利用第二道光罩，形成源极线、源／漏极，源极线端部连接源极垫，源极连接源极线与信道层，漏极连接信道层与像素电极。根据本发明专利技术，仅需两道光罩就能形成阵列基底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器制作过程，具体地，涉及一种使用于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的阵列基底(array substrate)及其制造方法。
技术介绍
液晶显示器包含有一上基底与一下基底，以及夹于上下基底之间的一液晶层。一般来说，上基底具有一彩色滤光片(color filter)以及一共同电极(common electrode)。而下基底具有横向延伸的栅极线(gate lines)、纵向延伸的源极线(source lines，或称数据线)、位于栅极线与源极线交叉处附近的当作是开关组件的薄膜晶体管(TFT)，以及由栅极线和源极线所定义的区域中的像素电极。每一薄膜晶体管具有一栅极、一源极与一漏极。栅极从栅极线延伸出来，而源极从源极线延伸出来。漏极通常是借助于一接触孔(contact hole)而电性连接像素电极。液晶显示器还包括垫部分(padportions)。垫部分包含有多个栅极垫以及多个源极垫(或数据垫)，其中栅极垫用来提供信号电压至栅极线，而源极垫用来提供数据电压至源极线。这些栅极垫以及多个源极垫最好是位于非显示区。为了要制作阵列基底，必须在下基底上重复进行例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其步骤包括：依序形成一透明导体层、一第一金属层、一第一绝缘层、一半导体层、一第二绝缘层以及一牺牲层于一基底上；形成包含一第一光阻层与一第二光阻层的一光阻图案于部分该牺牲层上，该第 二光阻层厚于该第一光阻层；以该光阻图案为罩幕，至少去除部分该牺牲层、该第二绝缘层以及该半导体层而形成一第一开口与一第二开口；去除该第一光阻层；以该第二光阻层为罩幕，去除部分该牺牲层而形成宽度窄于该第二光阻层之一剩余牺 牲层，以及去除部分该第二绝缘层与该半导体层，并且使该等第一与第二开口底部露出该基...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其步骤包括依序形成一透明导体层、一第一金属层、一第一绝缘层、一半导体层、一第二绝缘层以及一牺牲层于一基底上；形成包含一第一光阻层与一第二光阻层的一光阻图案于部分该牺牲层上，该第二光阻层厚于该第一光阻层；以该光阻图案为罩幕，至少去除部分该牺牲层、该第二绝缘层以及该半导体层而形成一第一开口与一第二开口；去除该第一光阻层；以该第二光阻层为罩幕，去除部分该牺牲层而形成宽度窄于该第二光阻层之一剩余牺牲层，以及去除部分该第二绝缘层与该半导体层，并且使该等第一与第二开口底部露出该基底；去除该第二光阻层；以该剩余牺牲层为罩幕，去除部分该第二绝缘层与该第一绝缘层；去除该余牺牲层与曝露之该第一金属层，因而定义出包含一栅极的一栅极线、位于该栅极正上方的一信道层、位于该栅极线端部的一栅极垫、一像素电极以及一源极垫，其中该第一开口位于该栅极线中并且靠近该栅极；形成一绝缘间隙壁于该栅极与该栅极线的侧壁上；全面形成一第二金属层于该基底上方；以及图案化该第二金属层而形成一源极线、一源极与一漏极，其中该源极线系交叉于该栅极线，该源极线的端部系连接该源极垫，该源极从该源极线延伸出来而连接部份该信道层，该漏极连接部份该信道层与该像素电极。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，包含所述第一与第二光阻层的该光阻图案经由使用一半调光罩的微影步骤所形成。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该第二金属层经由使用一光罩的微影步骤所形成。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该透明导体层铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)层。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该第一金属层系Al或Al合金或含铝层或铝合金层的多层结构的金属层。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该第一绝缘层系Si3N4或SiO2层。7.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该半导体层系非晶硅层。8.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该第二绝缘层系Si3N4或SiO2层。9.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该牺牲层Al或Mo或或Cr或ITO或IZO。10.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该绝缘间隙壁Si3N4或SiO2层。11.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，其中，该第二金属层Al或Al合金或含铝层或铝合金层的多层结构的金属层。12.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，还包括形成一经掺杂的半导体层于该第二金属层下。13.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基底的制造方法，还包括形成一护层于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊儒，
申请(专利权)人：广辉电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]