抗蚀图形形成方法、使用该法的微细图形形成方法技术

本发明专利技术提供一种抗蚀图形的形成方法，其特征在于，具有下述工序：（Ａ）在基体（１０）上形成光致抗蚀剂被膜的工序、（Ｂ）经过含有选择性曝光的光刻工序而使上述光致抗蚀剂被膜图形化为具有厚壁部（ｒ１）和薄壁部（ｒ２）的图形形状的工序、以及（Ｃ）在进行上述图形形成之后进行ＵＶ固化处理而形成具有厚壁部（ｒ１）和薄壁部（ｒ２）的台阶形抗蚀图形（Ｒ）的工序。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及抗蚀图形的形成方法、使用该法的微细图形的形成方法以及液晶显示元件的制造方法。
技术介绍
在液晶显示元件的液晶阵列基板的制造中，使用利用了光致抗蚀剂被膜的光刻工序。图2～图15是表示制造图16所示的结构的α-Si(无定形二氧化硅)形TFT阵列基板的工序的例子的图。在该例中，首先如图2所示，在玻璃基板1上形成栅电极层2’。接着，在栅电极层2’上形成光致抗蚀剂被膜，通过光刻法使该光致抗蚀剂被膜形成图形，该光刻法包括借助掩膜而选择性进行曝光的工序，如图3所示，形成抗蚀图形R1(第1光刻工序)。然后，将得到的抗蚀图形R1作为掩膜对栅电极层2’进行蚀刻，然后通过除去抗蚀图形R1而形成如图4所示的栅电极2。接着，如图5所示，在形成栅电极2的玻璃基板1上形成第1绝缘膜3，进而在其上面按顺序形成第1α-Si层4’以及蚀刻阻止膜5’。在蚀刻阻止膜5’上形成光致抗蚀剂被膜，通过光刻法使该光致抗蚀剂被膜形成图形，该光刻法包括借助掩膜而选择性进行曝光的工序，如图6所示，形成抗蚀图形R2(第2光刻工序)。然后，将得到的抗蚀图形R2作为掩膜对第1α-Si层4’以及蚀刻阻止膜5’进行蚀刻，然后通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀图形的形成方法，其特征在于，具有：（Ａ）在基体上形成光致抗蚀剂被膜的工序、（Ｂ）经过含有选择性曝光的光刻工序而使上述光致抗蚀剂被膜图形化为具有厚壁部和薄壁部的图形形状的工序、以及（Ｃ）在进行上述图形化之后进行 ＵＶ固化处理而形成具有厚壁部和薄壁部的台阶形抗蚀图形的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-12 2003-4147681.一种抗蚀图形的形成方法，其特征在于，具有(A)在基体上形成光致抗蚀剂被膜的工序、(B)经过含有选择性曝光的光刻工序而使上述光致抗蚀剂被膜图形化为具有厚壁部和薄壁部的图形形状的工序、以及(C)在进行上述图形化之后进行UV固化处理而形成具有厚壁部和薄壁部的台阶形抗蚀图形的工序。2.根据权利要求1所述的抗蚀图形的形成方法，其特征在于，具有(D)在进行上述UV固化处理之后进行后烘处理的工序。3.根据权利要求1所述的抗蚀图形形成方法，其特征在于，所述基体是在玻璃基板上具有多层结构的基体，所述多层结构是从玻璃基板侧起依次叠层有栅电极、第1绝缘膜、第1无定形二氧化硅膜、蚀刻阻止膜、第2无定形二氧化硅膜、以及源漏电极形成用金属膜的多层结构。4.根据权利要求2所述的抗蚀图形形成方法，其特征在于，所述基体是在玻璃基板上具有多层结构的基体，所述多层结构是从玻璃基板侧起依次叠层有栅电极、第1绝缘膜、第1无定形二氧化硅膜、蚀刻阻止膜、第2无定形二氧化硅膜、以及源漏电极形成用金属膜的多层结构。5.一种微细图形的形成方法，其特征在于，在使用权利要求1所述的方法形成所述台阶形抗蚀图形之后，具有如下工序(E)将该台阶形抗蚀图形作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理；然后(F)对该台阶形抗蚀图形进行灰化处理，除去上述薄壁部；(G)在除去上述薄壁部之后，将厚壁部作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理；然后(H)除去上述台阶形抗蚀图形的厚壁部。6.一种微细图形的形成方法，其特征在于，在使用权利要求2所述的方法形成所述台阶形抗蚀图形之后，具有如下工序(E)将该台阶形抗蚀图形作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理；然后(F)对该台阶形抗蚀图形进行灰化处理，除去上述薄壁部；(G)在除去上述薄壁部之后，将厚壁部作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理；然后(H)除去上述台阶形抗蚀图形的厚壁部。7.一种微细图形的形成方法，其特征在于，在使用权利要求3所述的方法形成所述台阶形抗蚀图形之后，具有如下工序(E)将该台阶形抗蚀图形作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理；然后(F)对该台阶形抗蚀图形进行灰化处理，除去上述薄壁部；(G)在除去上述薄壁部之后，将厚壁部作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理；然后(H)除去上述台阶形抗蚀图形的厚壁部。8.一种微细图形的形成方法，其特征在于，在使用权利要求4所述的方法形成所述台阶形抗蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：森尾公隆，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]