光致抗蚀剂层的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种光致抗蚀剂层的形成方法，包括下列步骤。首先，提供晶片至半导体机台中。接着，使晶片在第一转速下进行旋转。然后，利用喷嘴在固定位置上将预湿润溶剂供应至旋转中的晶片上。接下来，停止供应预湿润溶剂。之后，将晶片的转速从第一转速调整至第二转速，且第二转速大于第一转速。随后，于晶片上涂布光致抗蚀剂层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，且特别涉及一种使晶片表面 预先湿润的。
技术介绍
一般半导体元件制造的流程相当复杂，包括薄膜沉积、光刻、蚀刻、离子注入及热工艺步骤等等。其中，光刻(photolithography)工艺可以说是整个 半导体工艺中，最举足轻重的步骤之一。光刻技术的基本工艺是由涂布光致 抗蚀剂、曝光及显影三大步骤所构成。其中，在光刻工艺里所使用的光致抗蚀剂，主要是由树脂(resin)、感光 剂(sensitizer)及溶剂等三种不同成分所混合而成，以液态的形式存在的。光 致抗蚀剂的好坏与工艺的成品率和精确度有非常密切的关系。其中，影响光 致抗蚀剂层进行图案转移的首要重点便是光致抗蚀剂与晶片表面彼此间的 附着能力，以及光致抗蚀剂是否有确实且完全的覆盖晶片表面。由于光致抗蚀剂的成分一般包含树脂，其中树脂的功能是作为黏合剂， 使得光致抗蚀剂为浓稠的液态物质。因此，若晶片表面为干燥表面时，要使 光致抗蚀剂确实且完全的覆盖于晶片表面，则必须消^^大量的光致抗蚀剂材 料。为了解决上述的问题，已知技术会利用预湿润溶剂使晶片表面预先进行 湿润，以减少光致抗蚀剂的消耗量。已知技术在晶片表面进行预先湿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光致抗蚀剂层的形成方法，包括：　提供晶片至半导体机台中；　使该晶片在第一转速下进行旋转；　利用喷嘴在固定位置上将预湿润溶剂供应至旋转中的该晶片上；　停止供应该预湿润溶剂；　将该晶片的转速从该第一转速调整至第 二转速，且该第二转速大于该第一转速；以及　于该晶片上涂布光致抗蚀剂层。

【技术特征摘要】
1.一种光致抗蚀剂层的形成方法，包括提供晶片至半导体机台中；使该晶片在第一转速下进行旋转；利用喷嘴在固定位置上将预湿润溶剂供应至旋转中的该晶片上；停止供应该预湿润溶剂；将该晶片的转速从该第一转速调整至第二转速，且该第二转速大于该第一转速；以及于该晶片上涂布光致抗蚀剂层。2. 如权利要求1所述的光致抗独剂层的形成方法，其中该半导体机台包 括光致抗蚀剂涂布机台。3. 如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该第一转速的范 围在20 rpm至1000 rpm之间。4. 如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该固定位置包括 位于该晶片的中央位置上方。5. 如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该预湿润溶剂包 括降低光致抗蚀剂消耗溶剂。6. 如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该第二转速的范 围在20 rpm至1000 rpm之间。7. 如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中将该第一转速调 整至该第二转速的方法包括先将该第一转速调整至第三转速，再将该第三转 速调整至该第二转速。8. 如权利要求7所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该第三转速小于 该第一转速。9. 如权利要求7所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该第三转速大于该第一转速且小于该第二转速。10. 如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中该第三转速的范 围在20 rpm至1000 rpm之间。11. 如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成方法，其中将该预湿润溶剂 供应至旋转中的该晶片上的方法包括在该晶片开始旋转之后且在该晶片的转速到达该第一转速之前，将该预湿润溶剂供应至该晶片上。12. 如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宇桓，陈志荣，黄志忠，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]