供给化学液体的单元及使用该单元处理衬底的装置和方法制造方法及图纸

提供一种用于供给化学液体的单元以及利用所述单元处理衬底的装置和方法。预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴体上。因此与各个喷嘴被安装在各自喷嘴臂上的情况相比，能够节省设备安装空间，由此能够更好地利用用于安装设备的空间。

【技术实现步骤摘要】

本文描述的本专利技术涉及一种用于供给化学液体的单元以及使用该单元处理衬底 的装置和方法，尤其是涉及一种用于供给光致抗蚀剂涂覆工艺中使用的化学液体的单元， 以及使用该单元处理衬底的装置和方法。
技术介绍
通常，半导体衬底是通过将形成预定电路图案的薄膜层叠在硅片上来制成的。为 了形成和层叠薄膜，需重复执行诸如沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺等多个单元工艺。 所述单元工艺中的光刻工艺用于在晶片上形成图案。光刻工艺包括光致抗蚀剂涂 覆工艺，曝光工艺，显影工艺等。 光致抗蚀剂沉积工艺用于将对光敏感的光致抗蚀剂均匀地施加到晶片表面。曝光 工艺用于曝光其上形成有光致抗蚀剂的电路图案，所述曝光是通过利用分档器(st印per) 使光穿过掩膜上的相应电路图案来进行的。显影工艺用于利用显影剂选择性地显影通过曝 光工艺曝光或没有曝光的晶片的光致抗蚀剂层部分。 通过沉积、曝光和显影工艺在晶片上形成图案，且利用晶片上的图案蚀刻该晶片 的最上层，由此形成具有图案的器件。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于供给化学液体的单元，其通过在单个喷嘴臂上安装用于喷洒 液体(有机溶剂，光致抗蚀剂，边珠去除剂等)的喷嘴，能够更好地利用用于安装设备的空 间。本专利技术提供使用该单元处理衬底的装置和方法。 本专利技术的实施例提供处理液体供给单元，包括光致抗蚀剂喷嘴，用于将光致抗蚀剂供给到衬底上；以及边珠去除喷嘴，用于将边珠去除液体供给到衬底的边缘以去除形成在衬底边缘的边珠，其中，光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴臂上。在一些实施例中，处理液体供给单元可以进一步包括预湿喷嘴，用于将有机溶剂供给到衬底上以提高从光致抗蚀剂喷嘴供给到衬底上的光致抗蚀剂的湿度，其中，预湿喷嘴可以被安装在该喷嘴臂上。 在另一些实施例中，预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴可以沿着与喷嘴 臂长度方向垂直的直线成行地布置在喷嘴臂的端部。 在另一些实施例中，光致抗蚀剂喷嘴可以设置在喷嘴臂的第一端的中心，且预湿 喷嘴和边珠去除喷嘴可以被分别设置在光致抗蚀剂喷嘴的两侧。在另一些实施例中，处理液体供给单元可以进一步包括光致抗蚀剂供给源、将光致抗蚀剂供给源连接到光致抗蚀剂喷嘴的光致抗蚀剂供给管路、边珠去除液体供给源、将 边珠去除液体供给源连接到边珠去除喷嘴的边珠去除液体供给管路、有机溶剂供给源、以 及将有机溶剂供给源连接到预湿喷嘴的有机溶剂供给管路。 在本专利技术的另一些实施例中，衬底处理装置包括衬底支撑部件，用于支撑衬底； 以及处理液体供给单元，用于执行关于衬底支撑部件上所支撑的衬底的光致抗蚀剂沉积工 艺。其中，该处理液体供给单元包括光致抗蚀剂喷嘴，用于将光致抗蚀剂供给到衬底上； 以及边珠去除喷嘴，用于将边珠去除液体供给到衬底的边缘以去除形成在衬底边缘的边 珠，其中，光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴臂上。 在一些实施例中，处理液体供给单元可以进一步包括预湿喷嘴，用于将有机溶剂 供给到衬底上以提高从光致抗蚀剂喷嘴供给到衬底上的光致抗蚀剂的湿度，其中，预湿喷 嘴可以被安装在该喷嘴臂上。 在另一些实施例中，预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴可以沿着与喷嘴 臂长度方向垂直的直线成行地布置在喷嘴臂的端部。 在另一些实施例中，光致抗蚀剂喷嘴可以设置在喷嘴臂的第一端的中心，且预湿 喷嘴和边珠去除喷嘴可以被分别设置在光致抗蚀剂喷嘴的两侧。 在另一些实施例中，喷嘴臂可以设置在衬底支撑部件的一侧，从而预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴的布置方向能够穿过衬底支撑部件上的衬底的中心。在另一些实施例中，衬底处理装置可以进一步包括驱动部件，用于线性地移动喷嘴臂以将预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴移动到设置在衬底支撑部件上的衬底上的加工位置，其中，驱动部件可以包括喷嘴臂支撑部件，用于支撑喷嘴臂；驱动单元，用于往复移动喷嘴臂支撑部件；以及导引部件，用于导引喷嘴臂支撑部件线性运动。在另一些实施例中，处理液体供给单元可以进一步包括光致抗蚀剂供给源、将光致抗蚀剂供给源连接到光致抗蚀剂喷嘴的光致抗蚀剂供给管路、边珠去除液体供给源、将边珠去除液体供给源连接到边珠去除喷嘴的边珠去除液体供给管路、有机溶剂供给源、以及将有机溶剂供给源连接到预湿喷嘴的有机溶剂供给管路。 在本专利技术的另一些实施例中，用于利用上述衬底处理装置执行关于衬底的光致抗 蚀剂沉积工艺的方法包括通过移动喷嘴臂将预湿喷嘴定位到衬底中心上方，将有机溶剂 供给到衬底的中心；通过移动喷嘴臂将光致抗蚀剂喷嘴定位到衬底中心上方，将光致抗蚀 剂供给到衬底的中心；通过移动喷嘴臂将边珠去除喷嘴定位到衬底边缘的上方，将边珠去 除液体供给到衬底的边缘，其中，在旋转衬底的同时供给有机溶剂、光致抗蚀剂和边珠去除 液体。 在一些实施例中，预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴沿着与喷嘴臂的长 度方向垂直的直线成行地布置在喷嘴臂的端部；并且在各喷嘴的布置方向上移动喷嘴臂的 同时将有机溶剂和光致抗蚀剂顺序地供给到衬底中心，然后将边珠去除液体供给到衬底的 边缘。附图说明 附图用于更好地理解本专利技术，且并入本说明书作为说明书的一部分。附图示出了 本专利技术的示例性实施例，且与说明书描述一起用于解释本专利技术的原理。在附图中 图1是根据本专利技术实施例的具有衬底处理装置的半导体制造设备的俯视图； 图2是图1所示半导体制造设备的侧视图； 图3是示出图1所示半导体制造设备的工艺处理单元的视图； 图4是各处理模块中用于沉积工艺的处理模块的俯视图； 图5是图4所示处理模块的侧视截面图； 图6是图4所示部分A的正视图；以及 图7A至图7C是示出根据实施例的衬底处理装置的各操作状态的视图。 具体实施例方式下面参考附图更加详细地描述本专利技术的优选实施例。然而，本专利技术可以以不同的 形式实施且不能解释为局限于本文所述的实施例。相反地，这些实施例提供用于使得本公 开充分、完整，并且使本领域的技术人员能完全知晓本专利技术的范围。在附图中，为了图示清 楚，元件的形状被夸大。 图1是根据本专利技术实施例的具有衬底处理装置的半导体制造设备的俯视图；图2 是图1所示半导体制造设备的侧视图；图3是示出了图1所示半导体制造设备的工艺处理 单元的视图。 参照图1至图3，半导体制造设备10包括定位器(index) 20、工艺处理单元30和 接口 (interface) 50。定位器20、工艺处理单元30和接口 50被布置在沿第一方向12延伸 的直线上。在沿着第一方向12延伸的直线上，定位器20被设置成与工艺处理单元30的前 端相邻。在沿着第一方向12延伸的直线上，接口 50被设置成与工艺处理单元30的后端相 邻。定位器20和接口 50具有在与第一方向12垂直的第二方向14上延伸的长度。工艺处 理单元30在上下方向上具有双层结构。第一处理单元32a设置在下层且第二处理单元32b 设置在上层。定位器20和接口 50将衬底送入工艺处理单元30或从工艺处理单元30取出。 第一处理单元32a包括第一传送路径34a、第一主机器人36a和处理模块40。第 一传送路径34a在第一方向12上从邻近定位器20的位置延伸到邻近接口 50的位置。处 理模块40沿第一传送路径34a布置在第一传送路径34a的两侧。第一主机器人36a安装 在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理液体供给单元，包括：光致抗蚀剂喷嘴，用于将光致抗蚀剂供给到衬底上；以及边珠去除喷嘴，用于将边珠去除液体供给到衬底的边缘以去除形成在所述衬底的边缘的边珠，其中，光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴臂上。

【技术特征摘要】
KR 2008-10-9 10-2008-0099229一种处理液体供给单元，包括光致抗蚀剂喷嘴，用于将光致抗蚀剂供给到衬底上；以及边珠去除喷嘴，用于将边珠去除液体供给到衬底的边缘以去除形成在所述衬底的边缘的边珠，其中，光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴臂上。2. 根据权利要求1所述的处理液体供给单元，进一步包括预湿喷嘴，用于将有机溶剂供给到所述衬底以提高从所述光致抗蚀剂喷嘴供给到所述衬底的光致抗蚀剂的湿度。3. 根据权利要求2所述的处理液体供给单元，其中，所述预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴沿着与所述喷嘴臂的长度方向垂直的直线成行地布置在所述喷嘴臂的端部。4. 根据权利要求3所述的处理液体供给单元，其中，所述光致抗蚀剂喷嘴被设置在所述喷嘴臂的第一端的中心；且所述预湿喷嘴和边珠去除喷嘴分别被设置在所述光致抗蚀剂喷嘴的两侧。5. 根据权利要求2所述的处理液体供给单元，进一步包括光致抗蚀剂供给源；将所述光致抗蚀剂供给源连接到所述光致抗蚀剂喷嘴的光致抗蚀剂供给管路；边珠去除液体供给源；将边珠去除液体供给源连接到所述边珠去除喷嘴的边珠去除液体供给管路；有机溶剂供给源；以及将所述有机溶剂供给源连接到所述预湿喷嘴的有机溶剂供给管路。6. —种衬底处理装置，包括衬底支撑部件，用于支撑衬底；以及处理液体供给单元，用于执行关于所述衬底支撑部件上所支撑的衬底的光致抗蚀剂沉积工艺，其中，所述处理液体供给单元包括光致抗蚀剂喷嘴，用于将光致抗蚀剂供给到所述衬底上；以及边珠去除喷嘴，用于将边珠去除液体供给到所述衬底的边缘以去除形成在所述衬底的边缘的边珠，其中，所述光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴臂上。7. 根据权利要求6所述的衬底处理装置，其中，所述处理液体供给单元进一步包括预湿喷嘴，用于将有机溶剂供给到所述衬底以提高从所述光致抗蚀剂喷嘴供给到所述衬底的光致抗蚀剂的湿度。8. 根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中，所述预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大城，柳寅喆，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]