一种光致抗蚀剂组合物及其用途制造技术

本发明专利技术涉及一种光致抗蚀剂组合物，其包含：(A)20‑75重量％的可碱水溶性光固化树脂，(B)3‑20重量％的功能性单体，(C)3‑14重量％的环氧树脂，(D)2‑10重量％的光引发剂，(E)15‑30重量％的填料，(F)4‑25重量％的溶剂，和(G)1‑10重量％的添加剂，其中，各组分重量百分比均基于组合物的总重量计，且各组分重量百分比之和为100重量％；本发明专利技术还涉及所述的光致抗蚀剂组合物用于图案蚀刻的用途。所述光致抗蚀剂组合物可耐强碱性蚀刻且满足厚层蚀刻工艺要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种耐强碱蚀刻的光致抗蚀剂组合物，及其在图案蚀刻中的用途。
技术介绍
近些年随着应用于LED上的铝基板、以铝及其合金为材质的标牌制作、线路、图案加工的发展，以及铝及其合金电脑外壳、手机壳标识(logo)制作的兴起，加之铝及合金具有的轻便、色泽美观、耐腐蚀性好、对光和热的反射率高等特点，以铝及其合金为基材的线路、图案加工得到了飞跃式的发展，这些工艺过程的实现基本都是利用图形转移湿法蚀刻。图形转移湿法蚀刻一般分为酸性和碱性两种工艺，通常在酸性工艺中，氧化性的酸会破坏玻纤半固化片及铝基板，且也不能满足铝及其合金电脑外壳、手机壳及标识的深度蚀刻制作的要求，故涉及铝基覆铜板及铝板在图形转移时都采用碱性蚀刻工艺。目前行业内主流的光致抗蚀剂仅能满足以氨水为主体的弱碱性蚀刻，且以薄层蚀刻深度为主的体系，不能满足强碱性蚀刻液体系及厚层深度蚀刻工艺。因此急需一种能够满足耐强碱性蚀刻及厚层蚀刻工艺要求的光致抗蚀剂。
技术实现思路
为解决现有技术存在的问题，本专利技术提供一种耐强碱蚀刻的光致抗蚀剂组合物。所述光致抗蚀剂组合物包含：(A)20-75重量％的可碱水溶性光固化树脂，(B)3-20重量％本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光致抗蚀剂组合物，其包含：(A)20‑75重量％的可碱水溶性光固化树脂，(B)3‑20重量％的功能性单体，(C)3‑14重量％的环氧树脂，(D)2‑10重量％的光引发剂，(E)15‑30重量％的填料，(F)4‑25重量％的溶剂，和(G)1‑10重量％的添加剂，其中，各组分重量百分比均基于组合物的总重量计，且各组分重量百分比之和为100重量％。

【技术特征摘要】
1.一种光致抗蚀剂组合物，其包含：(A)20-75重量％的可碱水溶性光固化树脂，(B)3-20重量％的功能性单体，(C)3-14重量％的环氧树脂，(D)2-10重量％的光引发剂，(E)15-30重量％的填料，(F)4-25重量％的溶剂，和(G)1-10重量％的添加剂，其中，各组分重量百分比均基于组合物的总重量计，且各组分重量百分比之和为100重量％。2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于，所述环氧树脂选自分子中含有两个或两个以上的环氧基团且软化点不小于60℃的环氧树脂，所述环氧树脂的用量为4-12重量％，优选5-10重量％，基于光致抗蚀剂组合物的总重量计。3.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于，所述可碱水溶性光固化树脂为主链或侧链上含有羧基、羟基及不饱和基团的环氧丙烯酸齐聚体或醇酐型聚酯树脂、聚酯丙烯酸酯齐聚体或丙烯酸共聚接枝树脂中的一种或其两种以上的混合物，所述可碱水溶性光固化树脂的用量为30-60重量％，优选40-50重量％，基于光致抗蚀剂组合物的总重量计。4.根据权利要求1-3中任一项所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于，所述可碱水溶性光固化树脂为羧基化环氧丙烯酸树脂、羧基化聚酯丙烯酸酯树脂和丙烯酸共聚接枝树脂的混合物，其比例为1:0-0.9:0-0.9，优选1:0-0.8:0-0.8，更优选1:0-0.6:0-0.6，各自基于羧基化环氧丙烯酸树脂的重量计。5.根据权利要求1-4中任一项所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于，所述功能性单体为引入各种功能性基团的单体，其选自双季戊四醇六丙酸酸酯(DPHA)、三羟甲基丙烷三丙酸酯(TMPTA)、三(2-羟乙基)异氰尿酸三丙烯酸酯、2-苯硫基乙基丙烯酸酯(PETA)、二丙二醇二丙烯酸酯(DPGDA)、四氢呋喃丙烯酸酯(THFA)中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊峰，刘启升，张明，杨遇春，
申请(专利权)人：深圳市容大感光科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44