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本发明揭露一种可改善组件特性的高压组件的制造方法，其系在一已形成有漂移区域的半导体基底上形成一薄氧化层、一氮化硅层及一图案化光阻层，并以此图案化光阻层为掩膜，蚀刻氮化硅层后去除该图案化光阻层；接着在半导体基底上形成一磷玻璃层，并将磷离子高温...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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