门氧化膜形成用硅化铪靶及其制造方法技术

本发明专利技术涉及由ＨｆＳｉ↓［１．０２－２．００］构成的门氧化膜形成用硅化铪靶。得到了适合形成可代替ＳｉＯ↓［２］膜作为高介电率门绝缘膜使用的ＨｆＳｉＯ和ＨｆＳｉＯＮ膜，加工性和耐脆化性卓越的硅化铪钯及其制备方法。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适合形成可以作为高介电率门绝缘膜使用的HfSiO和HfSiON膜，加工性和耐脆化性卓越的硅化铪钯，及其制造方法。另外，本说明书中使用的单位“ppm”全部指wtppm(重量ppm)。
技术介绍
介电门绝缘膜的膜厚对MOS晶体管的性能影响很大，并且与硅基片的界面是电学上平滑的以及载体的运动性不劣化是必要的。以往，SiO2膜用作该门绝缘膜，在界面质量方面是最优越的。另外，具有用作该门绝缘膜的SiO2膜越薄，载体的数目(即，电子或电子空穴)增加，并且漏电流也由此增加的特性。在这样的情况下，每一次由于布线的微型化导致电源电压下降，总是在不损害电介质击穿的可靠性的范围内将门SiO2膜作得尽可能薄。然而，当门膜的厚度为3nm或更小时，隧道漏电流直接流动，引起该膜不能起到绝缘膜作用的问题。另一方面，尽管试图将晶体管小型化，但是既然作为前述的门绝缘膜的SiO2膜的膜厚有限制，则晶体管的小型化会损失其价值，产生性能不能改善的问题。另外，为降低LSI的电源电压以及降低电力消耗，需要使门绝缘膜更进一步薄。然后，由于当SiO2膜的膜厚被作成3nm或更小时存在上述的门电介质击穿方面的问题，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种门氧化膜形成用硅化铪靶，其由ＨｆＳｉ↓［１．０２－２．００］构成。

【技术特征摘要】
JP 2001-7-18 217586/2001;JP 2002-4-9 105905/20021.一种门氧化膜形成用硅化铪靶，其由HfSi1.02-2.00构成。2.一种门氧化膜形成用硅化铪靶，其由HfSi1.02-2.00构成，并且含有主要包括HfSi相和HfSi2相的混合相。3.权利要求1或2所述的门氧化膜形成用硅化铪靶，其特征在于，相对密度为95％或更高。4.权利要求1～3任一项所述的门氧化膜形成用硅化铪靶，其特征在于，氧含量为500～10000ppm。5.权利要求1～4任一项所述的门氧化膜形成用硅化铪靶，其特征在于，锆含量为2.5重量％或更低。6.权利要求1～5任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：入间田修一，铃木了，
申请(专利权)人：株式会社日矿材料，
类型：发明
国别省市：JP[日本]