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本发明涉及由ＨｆＳｉ↓［１．０２－２．００］构成的门氧化膜形成用硅化铪靶。得到了适合形成可代替ＳｉＯ↓［２］膜作为高介电率门绝缘膜使用的ＨｆＳｉＯ和ＨｆＳｉＯＮ膜，加工性和耐脆化性卓越的硅化铪钯及其制备方法。...
该专利属于株式会社日矿材料所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日矿材料授权不得商用。

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