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株式会社日矿材料专利技术
株式会社日矿材料共有41项专利
用激光开孔的开孔铜箔及其制造方法技术
本发明涉及一种在激光照射面上具有含有铟、锡、钴、锌、钴合金及镍合金中的任意一种以上的层的、具有优异的激光开孔特性的铜箔;提供一种通过在印刷线路板制造中改善铜箔的表面因使激光加工变得容易、适于形成小孔径层间连接孔的铜箔及其制造方法。
覆铜层压板及其制备方法技术
本发明提供利用激光钻孔加工的电解铜箔的覆铜层压板,该电解铜箔的粗面作为激光入射面,制造印刷电路板时,由于改善了作为激光入射面的铜箔表面,可使激光钻孔极为容易,适合形成小径间隙通孔。
附加有载体的铜箔及使用该铜箔的印刷衬底制造技术
本发明涉及附加有载体的铜箔和使用该铜箔的印刷衬底,其特征在于至少在一部分铜箔上具有树脂层和功能材料层。通过利用丝网印刷法在附加有载体的铜箔的表面上形成面积比铜箔的面积小的绝缘层和功能材料层而得到附加有载体的铜箔和使用该铜箔的印刷衬底,从...
金属箔的热量测量方法、表面特性的调整方法、激光穿孔方法以及热量测量装置制造方法及图纸
一种金属箔的热量测量方法,其特征在于,对金属箔照射微量的激光,由金属箔的背面所设置的传感器来测量金属箔所吸收的热量。
以MoSi为主成分的发热体的制造方法技术
本发明涉及以MoSi↓[2]为主成分的发热体及该发热体的制造方法,所说的发热体含有70%以上的MoSi↓[2],该发热体的整体平均密度与相当于发热体直径1/5的中心部的密度之差(真密度比)在5%以下,优选在3%以下,上述发热体的制造方法...
光电变换功能元件及其制造方法技术
采用包含周期表第12(2B)族元素和第16(6B)族元素的化合物半导体晶体基片、在使用位错密度或淀积物密度较低的基片的同时,通过让使第一导电型的上述基片成为第二导电型基片的元素从基片表面热扩散而形成pn结,在上述基片的前表面和背面形成电...
锂蓄电池用阴极材料的制备方法技术
提供一种锂蓄电池用的阴极材料,它具有高电容量,优良的循环性能和优良的热稳定性。一种锂蓄电池用的阴极材料,其特征在于此材料是一种层状化合物,化学式为:Li#-[x]Ni#-[1-a-b-c-d]Co#-[a]M#-[1b]M#-[2c]M...
用于环氧树脂的酚类固化剂以及使用该固化剂的环氧树脂组合物制造技术
本发明提供用于对金属和无机材料具有优异粘合性的环氧树脂的固化剂,以及环氧树脂组合物。本发明用于环氧树脂的固化剂含有酚类固化剂和具有三取代或高级氨基的硅烷偶联剂。该三取代或高级氨基优选是咪唑基或其盐,或二甲基氨基或其盐。本发明的固化剂还可...
用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材及其制备方法技术
本发明涉及由HfSi#-[0.05-0.37]组成的用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材,所得到的硅化铪靶材的加工性能和耐脆化性能优良,并适合于形成可取代SiO#-[2]膜用作高介电栅绝缘膜的HfSiO膜和HfSiON膜,本发明也涉及靶材的制...
半导体晶片及其制造方法技术
本发明的课题是,在晶片周边部进行倒角加工,其后至少在主面侧进行了镜面加工的半导体晶片(W),在晶片周边部,具有对主面(10)的倾角(θ)为5°以上、25°以下,而且晶片半径方向的长度(L)为100μm有非镜面部分(21b)。
电解镀铜法、电解镀铜的磷铜阳极和利用所述方法及阳极镀铜的半导体晶片技术
本发明涉及一种使用磷铜阳极的电解镀铜法,其特征在于,所使用的磷铜阳极具有大小为1500μm至20000μm的晶体颗粒。一种利用电解铜对被电镀物体例如半导体晶片进行电镀的方法,同时防止在电镀液中的阳极一侧上产生的微粒附着到物体上;一种用于...
门氧化膜形成用硅化铪靶及其制造方法技术
本发明涉及由HfSi↓[1.02-2.00]构成的门氧化膜形成用硅化铪靶。得到了适合形成可代替SiO↓[2]膜作为高介电率门绝缘膜使用的HfSiO和HfSiON膜,加工性和耐脆化性卓越的硅化铪钯及其制备方法。
ZnS-SiO 溅射靶及使用该靶而形成了ZnS-SiO 相变化型光盘保护膜的光记录介质制造技术
本发明是以含有0.001~5重量%的Na、K或选自其氧化物的一种或多种氧化物作为添加剂为特征的ZnS-SiO#-[2]溅射靶。通过能够以低成本稳定地产出其中的SiO#-[2]晶粒微细、具有95%或95%以上的高密度的靶,获得了一种用于形...
溅射靶及其制造方法技术
本发明涉及以硫化锌-二氧化硅为主成分的溅射靶,它通过使用比表面积为5-40m#+[2]/g、含有0.05-0.35重量%硫酸根(SO#-[4])的硫化锌,并混入15摩尔%或更多的二氧化硅使其均匀分散来制作。本发明还涉及使用这样的靶形成了...
ZnS-SiO 溅射靶及使用该靶形成了ZnS-SiO 相变化型光盘保护膜的光记录媒体制造技术
本发明涉及一种相对密度为90%以上的ZnS-SiO↓[2]溅射靶,其特征在于,使用将1-50摩尔%SiO↓[2]系玻璃粉末与其余的ZnS粉末均匀分散、混合的粉末烧结而成,所述的SiO↓[2]系玻璃粉末含有总计0.01-20重量%选自金属...
生产管理系统及用于该系统的主机和记录媒体技术方案
在靶极制造厂与靶极用户之间构筑利用计算机网络的溅射靶极的生产管理系统,共享底板的历史信息、溅射靶极的生产信息、溅射靶极的使用信息等有关生产管理的各种信息。
黑色钌电镀液制造技术
本发明涉及黑色钌电镀液,其特征在于:含有作为电镀液中成分的硫酸钌、氨基磺酸、含硫化合物和为防止在电解中阳极氧化所引起的含硫化合物分解而添加的牺牲氧化剂。在保留作为历来黑色钌电镀液的特性,即电镀液的管理容易、而且对有光泽基材的粘着性好;耐...
铜电镀方法技术
在填充在半导体晶片上形成的配线(LSI)图案的微细通路或沟道时,用含有吡咯或硅烷偶联剂的铜电镀液进行电镀,或者用含有吡咯或硅烷偶联剂的铜电镀用前处理液浸渍之后进行电镀。这样,通过向电镀液中添加铜溶解抑制成分,或者用含铜溶解抑制成分的溶液...
激光开孔用铜箔制造技术
一种铜箔,是使用激光进行开孔加工的铜箔,在该铜箔的至少激光入射面上,施行含有铜的至少不少于一种的金属镀敷,在该面形成0.01~3μm的粒子层。提供在制造印刷电路基板时,通过改善铜箔的表面而使激光加工容易、适于小径层间连接孔的铜箔。
无晶须析出的锡、锡合金镀液、镀膜以及镀膜物制造技术
本发明提供一种即使不加热处理镀膜物也不析出晶须的锡镀液或者锡合金镀液。本发明的锡镀液或者锡合金镀液的特征在于含有选自双酚A环氧乙烷加成物、双酚A环氧丙烷加成物、双酚F环氧乙烷加成物、双酚F环氧丙烷加成物中至少一种的添加剂。由于该添加剂,...
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