电解镀铜法、电解镀铜的磷铜阳极和利用所述方法及阳极镀铜的半导体晶片技术

本发明专利技术涉及一种使用磷铜阳极的电解镀铜法，其特征在于，所使用的磷铜阳极具有大小为１５００μｍ至２００００μｍ的晶体颗粒。一种利用电解铜对被电镀物体例如半导体晶片进行电镀的方法，同时防止在电镀液中的阳极一侧上产生的微粒附着到物体上；一种用于电解镀铜的磷铜阳极；以及利用这种方法和阳极电镀的具有低微粒附着的半导体晶片。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能够防止微粒附着在电镀目标尤其是半导体晶片上的电解镀铜方法，一种用于这种电解镀铜的磷铜阳极，以及利用前述方法和阳极电解镀铜的具有低微粒附着的半导体晶片。
技术介绍
一般的说，虽然电解镀铜已被用于形成PWB(印刷线路板)等上的铜布线，但近几年来它正在用于形成半导体的铜布线。电解镀铜有很长的历史，并积累了许多技术改进后已达到现在的形式。然而，当使用这种电解镀铜来形成半导体的铜布线时，产生了一个在PWB中不存在的新问题。通常，当进行电解镀铜时，磷铜被用作阳极。这是因为当使用由铂、钛或铱的氧化物等形成的不溶性阳极时，电解液中的添加剂将受阳极氧化的影响而分解，从而会产生低质电镀。而且，当使用电解铜或无氧铜的可溶性阳极时，大量微粒，如残渣，由溶解过程中一价铜的歧化反应而引起的金属铜或铜的氧化物而产生，由此而污染电镀目标。另一方面，当使用磷铜阳极时，由于电解，由磷铜或铜的氯化物组成的黑膜形成在阳极表面，因而可能抑制由一价铜的歧化反应而引起的金属铜或铜的氧化物的产生并控制微粒的产生。然而，甚至当使用磷铜作为上述阳极时，也不可能完全控制微粒的产生，因为金属铜或铜的氧化物会产生在黑本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用磷铜阳极的电解镀铜法，其中使用具有晶体颗粒大小为１５００μｍ（或更大）至２００００μｍ的磷铜阳极。

【技术特征摘要】
JP 2002-3-18 74659/20021.一种使用磷铜阳极的电解镀铜法，其中使用具有晶体颗粒大小为1500μm(或更大)至20000μm的磷铜阳极。2.根据权利要求1的电解镀铜法，其中磷铜阳极的磷含量为50至2000wtppm。3.根据权利要求1的电解镀铜法，其中磷铜阳极的磷含量为100至1000wtppm。4.一种用于进行电解镀铜的磷铜阳极，其中所述磷铜阳极的晶体颗粒大小为150...

【专利技术属性】
技术研发人员：相场玲宏，冈部岳夫，
申请(专利权)人：株式会社日矿材料，
类型：发明
国别省市：JP[日本]