相同集成电路上两种存储器类型的集成制造技术

非易失存储器（ＮＶＭ）和动态纳米晶体（ＤＮＭ）集成在一个半导体衬底上。具有嵌入的纳米晶体或分立存储元件的控制栅极和控制电介质形成在隧道电介质的不同厚度上，以形成两个存储器。源和漏区形成在与隧道电介质相邻的半导体衬底内。使用了多种方法通过增加最少的处理步骤形成了薄隧道氧化物和厚隧道氧化物。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器，特别涉及利用了两种不同种类存储器的集成电路。
技术介绍
许多集成电路具有执行多种不同功能以获得特定目的的能力。就此而言常见的有具有板上存储器的微型计算机。就此经常需要存在一种关断电源时非易失的存储器，当再次供电时已编程的一些内容仍然存在。这在包括便携和汽车领域的多种应用中同样需要。除此之外，期望非易失的存储器同时也是高速的存储器。通常，这两个要求相互冲突是由于制造非常适用于该目的的存储器类型是不同的。现有一种非易失存储器，具有将保持已编程到存储器内的内容保持很长时间，例如10年的能力。然而，就写入的能力而言，NVM较慢。如DRAM等较快的其它种类存储器不是非易的。DRAM由于它的小尺寸非常有利。对于一些专有应用，需要SRAM，是由于它们很快，但它们占有了集成电路上大量的空间。就功能性而言，希望在相同的器件上具有DRAM和NVM。对于需要非常快速度的专有应用，同样需要SRAM。在相同的集成电路上具有DRAM和非易失存储器的一个困难之处在于DRAM所需要的处理很难适用于非易失存储器。DRAM包括为主要部件的电容器。该电容器需要与NVM所涉及的完全不同的处理。结果本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：第一存储器晶体管，包括：第一电介质；以及第一多个分立的存储元件；和第二存储器晶体管，包括：第二电介质，其比第一电介质厚；和第二多个分立的存储元件。

【技术特征摘要】
US 2001-6-15 09/881,3321.一种半导体器件，其包括第一存储器晶体管，包括第一电介质；以及第一多个分立的存储元件；和第二存储器晶体管，包括第二电介质，其比第一电介质厚；和第二多个分立的存储元件。2.根据权利要求1的半导体器件，其中，第一电介质和第二电介质为隧道电介质。3.根据权利要求1的半导体器件，其中，第一电介质小于约35埃。4.根据权利要求3的半导体器件，其中，第一电介质小于约20埃。5.根据权利要求1的半导体器件，其中，第一电介质大于约35埃。6.根据权利要求1的半导体器件，其中，第二存储器晶体管的特征为非易失存储器晶体管。7.根据权利要求1的半导体器件，其中，第一存储器晶体管的特征为动态纳米晶体管。8.根据权利要求1的半导体器件，其中，第一和第二多个分立的存储元件为纳米晶体管。9.根据权利要求8的半导体器件，其中，纳米晶体管包括选自硅和锗组成的组中的一种元素。10.根据权利要求1的半导体器件，其中第一存储器晶体管还包括第一控制电介质；第一控制栅极；第一源区；以及第一漏区；以及第二存储器晶体管还包括第二控制电介质；第二控制栅极；第二源区；以及第二漏区。11.一种半导体器件的制备方法，包括提供半导体衬底；在半导体衬底的第一部分上形成薄电介质层；在半导体衬底的第二部分上形成厚电介质层，其中厚电介质层厚于薄电介质层；以及在至少一部分薄电介质层和至少一部分厚电介质层上形成多个分立的存储元件。12.根据权利要求11的方法，其中，通过热生长形成薄电介质层和厚电介质层。13.根据权利要求11的方法，还包括形成第一电介质层；构图光致抗蚀剂层露出第一电介质层的第一部分并掩模第一电介质层的第二部分；除去第一电介质层的第一部分，以露出一部分半导体衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特E琼斯，布鲁斯E怀特，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]