半导体记忆装置之制造方法制造方法及图纸

一种特别简单的半导体记忆装置（１）的制造方法被揭露，其中藉由沉积一材料区域以及藉由具有终止在该存储元件（２０）实质上共通阶层（２６ａ）之随后的抛光，而在横向排列的存储元件（２０）间形成一扩散障碍层（３０ｆ），以做为一第一钝化区域（３０）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本案是有关于一种与申请专利范围第1项前言一致的半导体记忆装置的制造方法。最新的半导体记忆技术的发展目的为，特别是，形成尽可能广泛的积体密度，同时，必须将其记在心中的是一种在制造方法中产生具有高度功能可靠度的存储元件与比较简单处理程序。特别是在磁性随机内存(MRAM)记忆装置的实例中，为了获得对记忆胞元十分重要的TMR效应，各别材料层的排列是很重要的。在此情况下，复杂的处理程序通常需承担的是，仅能在伴随有高额花费的情况下方可以最理想的几何方式相互协调处理步骤之缺点，其中关于在处理半导体基板上之个别目标区域之处理步骤，其在时间与方法上系为单独的处理步骤。本案系基于明确说明一种制造半导体记忆装置的方法之目的，特别是一种MRAM内存或是相类似者，其中一种高度功能的可靠度可藉由特别少的制程步骤而获得。在针对制造一种半导体记忆装置之一般型态方法的实例中，可藉由申请专利范围第1项的特征来达到本案的目的。而附属项系有关于根据本案的制造一种半导体记忆装置的方法之有利发展。在至少一材料区域上，特别是在其实质上为平的表面区域上，制造半导体记忆装置，特别是一种MRAM内存或是相类似者，之一般型式的方法中，复数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体记忆装置，特别是一种ＭＲＡＭ内存或是相类似者，的方法－其中，在至少一材料区域（１０，１３）上，特别是在一实质上是其平的表面区域（１３ａ）上，复数个存储元件（２０）系以一种空间上彼此间侧向隔开的方式而被形成，以及 －其中，该存储元件（２０）系以下述之方式被嵌入在一第一钝化区域（３０）中，在空间上实质直接毗连之存储元件间，形成覆盖一侧、边缘及／或边际区域（２０ｂ）的间隙组件（３０ｆ），特别是做为本质上系电绝缘的扩散障碍或是相类似者，其特征在于该 间隙组件（３０ｆ）系藉由针对该第一钝化区域（３０）沉积一材料区域与随后的抛光（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ...

【技术特征摘要】
DE 2001-5-18 10124366.91.一种制造半导体记忆装置，特别是一种MRAM内存或是相类似者，的方法-其中，在至少一材料区域(10，13)上，特别是在一实质上是其平的表面区域(13a)上，复数个存储元件(20)系以一种空间上彼此间侧向隔开的方式而被形成，以及-其中，该存储元件(20)系以下述之方式被嵌入在一第一钝化区域(30)中，在空间上实质直接毗连之存储元件间，形成覆盖一侧、边缘及/或边际区域(20b)的间隙组件(30f)，特别是做为本质上系电绝缘的扩散障碍或是相类似者，其特征在于该间隙组件(30f)系藉由针对该第一钝化区域(30)沉积一材料区域与随后的抛光(polishing)而被形成，特别是藉由一具有在该存储元件的一共通阶层(26a)或是其一保护层(26)终止的CMP方法。2.如申请专利范围第1项所述之方法，其特征在于一磁性存储元件，特别是一TMR堆栈组件或相类似者，系被形成以做为一存储元件(20)。3.如申请专利范围第2项所述之方法，其特征在于该存储元件(20)系以多层的方式来设计，特别是具有在一硬磁层(22)与一软磁层(24)之间所提供的一信道层(23)，一障碍层(21，25)其特别是远离该信道层(23)而以毗连该硬磁层(22)及/或该软磁层(24)的方式而被形成。4.如前述申请专利范围其中一项所述之方法，其特征在于该存储元件(20)系藉由一微影及/或蚀刻方法以二维的、大型区域及/或整个区域之方式形成的一层区域而被图案化，特别是使用一屏蔽结构做为该存储元件(20)的一保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：J纽特泽尔，S施瓦尔滋，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]