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一种特别简单的半导体记忆装置（１）的制造方法被揭露，其中藉由沉积一材料区域以及藉由具有终止在该存储元件（２０）实质上共通阶层（２６ａ）之随后的抛光，而在横向排列的存储元件（２０）间形成一扩散障碍层（３０ｆ），以做为一第一钝化区域（３０）。...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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