半导体晶片及其制造方法技术

本发明专利技术的课题是，在晶片周边部进行倒角加工，其后至少在主面侧进行了镜面加工的半导体晶片（Ｗ），在晶片周边部，具有对主面（１０）的倾角（θ）为５°以上、２５°以下，而且晶片半径方向的长度（Ｌ）为１００μｍ有非镜面部分（２１ｂ）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在表面上生长外延层的，特别是涉及在生长外延层时有效地防止在晶片周边部发生微裂痕等缺陷的技术。
技术介绍
以往，在半导体晶片的周边部为了防止在半导体元件的制造过程中产生破碎及裂痕，一般进行一种称之为“倒角”的加工。在该倒角加工中，有将半导体晶片的周边部加工成圆弧状以便用平滑的曲线联结形成外延膜的表面(以下称为“主面”)与背面的方法和将半导体晶片的周边部加工成圆锥状以便主面和背面与晶片周边部端面不以直角方式相交的方法。特别是，在将周边部加工成圆弧状时，由于用完全的圆弧平滑地联结半导体晶片的主面与背面，对于防止在晶片周边部产生破碎及裂痕是非常有利的。这样，进行了倒角加工的半导体晶片或只对主面，或对主面和背面这两面进行镜面加工后，在主面上生长各种组成的外延膜。然而，如果用上述方法进行倒角加工，进而应用对主面一侧进行了镜面加工的半导体晶片作为衬底，在该主面上生长外延膜，则在主面和在主面一侧的倒角加工部形成正常的外延膜，但在晶片外缘一侧的倒角加工部往往发生不形成单晶的异常生长。此外，由于起因于该异常生长的畸变及在所生长的外延膜中固有的畸变，往往从异常生长部朝向外延膜发生被称之为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片，它是在周边部进行倒角加工，其后至少在主面侧进行了镜面加工的半导体晶片，其特征在于：　　　　在周边部，具有对主面的倾角为５°以上、２５°以下的倾斜面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2002-1-11 004124/20021.一种半导体晶片，它是在周边部进行倒角加工，其后至少在主面侧进行了镜面加工的半导体晶片，其特征在于在周边部，具有对主面的倾角为5°以上、25°以下的倾斜面。2.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于上述倾斜面在晶片半径方向的长度为100μm以上。3.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗田英树，中村正志，
申请(专利权)人：株式会社日矿材料，
类型：发明
国别省市：JP[日本]