形成光刻用防反射膜的组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种在制造半导体器件的光刻过程中使用的形成防反射膜的组合物，其以一种树脂为组分，该树脂包含由三聚氰酸、三聚氰酸衍生物或三聚氰酸及三聚氰酸衍生物衍生的结构单元。该结构单元优选用下式（１）表示，可包含在树脂的主链、侧链以及主链和侧链双方上。由本发明专利技术的形成防反射膜的组合物得到的光刻用防反射膜，防反射膜效果高，与抗蚀剂层不发生混合，可得到优异的抗蚀剂图案，并具有比抗蚀剂更大的干蚀刻选择性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在采用ArF准分子激光器的光刻过程中，可有效降低由衬底基板反射造成的不利影响的形成防反射膜的组合物，以及使用该形成防反射膜的组合物的抗蚀剂图案形成方法。
技术介绍
迄今为止，在半导体器件的制造过程中，通过采用光致抗蚀剂组合物的光刻方法进行微加工。上述微加工是一种这样的加工方法在硅晶片上形成光致抗蚀剂组合物薄膜，通过描绘成半导体器件图案的掩模图案对该薄膜进行紫外线等的活性光线照射，显影，将所得抗蚀剂图案作为保护膜对硅晶片进行蚀刻处理，由此在器件表面上形成对应于上述图案的微细凸凹结构。然而，近年来半导体器件向高集成化发展，所用的活性光线也倾向于从KrF准分子激光器(248nm)向ArF准分子激光器(193nm)的短波长化发展。随之而来的是活性光线从基板的漫反射和驻波的影响成为较大问题。因此为解决该问题，现在广泛研究的是一种在光致抗蚀剂和基板之间设置防反射膜(Bottom Anti-Reflective Coating、BARC)的方法。作为该防反射膜，一般已知有钛、二氧化钛、氮化钛、氧化铬、碳、α-硅等的无机防反射膜以及由吸光性物质和高分子化合物形成的有机防反射膜。前者本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在制造半导体器件的光刻过程中使用的形成防反射膜的组合物，其以一种树脂为组分，该树脂包含由三聚氰酸、三聚氰酸衍生物或三聚氰酸及三聚氰酸衍生物衍生的结构单元。

【技术特征摘要】
JP 2001-4-10 111230/20011.一种在制造半导体器件的光刻过程中使用的形成防反射膜的组合物，其以一种树脂为组分，该树脂包含由三聚氰酸、三聚氰酸衍生物或三聚氰酸及三聚氰酸衍生物衍生的结构单元。2.如权利要求1所述的形成防反射膜的组合物，其具有用式(1) 式(1)(式中，R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、卤原子、取代或未取代的碳原子数为1～10的烷基、苯衍生的基团、乙烯基衍生的基团或环氧衍生的基团。)表示的三聚氰酸或其衍生物为组分。3.如权利要求1所述的形成防反射膜的组合物，其以树脂作为成分，该树脂为主链上含有由式(1)化合物衍生的结构单元的树脂、在侧链上含...

【专利技术属性】
技术研发人员：岸冈高广，荒濑慎哉，水泽贤一，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]