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本发明的课题是，在晶片周边部进行倒角加工，其后至少在主面侧进行了镜面加工的半导体晶片（Ｗ），在晶片周边部，具有对主面（１０）的倾角（θ）为５°以上、２５°以下，而且晶片半径方向的长度（Ｌ）为１００μｍ有非镜面部分（２１ｂ）。...
该专利属于株式会社日矿材料所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日矿材料授权不得商用。

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