一种用于垂直结构LED芯片的铜基板的制备方法技术

本发明专利技术提供一种用于垂直结构LED芯片的铜基板的制备方法，包括如下步骤：1)在外延片表面蒸镀一层P型金属电极层,在P型金属电极层上再镀上一层Au，得到第一基板；2)对第一基板进行清洗，达到去油效果后，用H2SO4进行表面活化；3)将磷铜阳极进行黑化，然后进行清洗；4)将经过步骤2)处理后的第一基板与经过步骤3)处理后的磷铜阳极放入镀铜液中进行电镀,得到电镀样品；5)对电镀样品进行清洗，去除残余的镀铜液，得到铜基板。本发明专利技术具有工艺简单，制备成本低廉的特点，同时该方法制备的铜基板具有无毛刺、表面均匀性好、平整性好、粗糙度低、导热及导电性好的特点，使得采用该铜基板制备的芯片具有较高的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于垂直结构LED芯片的铜基板的制备方法
本专利技术涉及一种铜基板的制备方法,特别是涉及一种用于垂直结构LED芯片的铜基板的制备方法。
技术介绍
发光二极管(LED)作为一种新型固体照明光源和绿色光源，具有体积小、耗电量低、环保、使用寿命长、高亮度、低热量以及多彩等突出特点，在室外照明、商业照明以及装饰工程等领域都具有广泛的应用。在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光。目前，Si衬底LED芯片已逐步产业化。但由于Si衬底本身对光的吸收率达90％，极大降低了LED芯片的光提取效率；同时Si衬底的导热性能远不及金属，散热性能较差，这些问题大大限制了Si衬底LED的应用。在提高LED芯片性能的方法中，应用较普遍而且有效的是采用基板转移技术制作垂直结构LED芯片，即在生长Si衬底上的LED外延片表面压焊或沉积一种新基板，并去除原先的Si衬底后再进行后续芯片制作。采用基板转移技术后的垂直结构LED芯片的光提取效率与转移前相比可提高3倍左右，同时新基板优良的导电性可以实现垂直结构芯片，并保证芯片产生的热量被及时传递出去，大大降低结温。铜由于成本低、散热好(397W/mK)、导电性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于垂直结构LED芯片的铜基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在外延片表面蒸镀一层P型金属电极层，所述P型金属电极层中的金属为Cr或Pt,采用光刻或蒸镀技术在P型金属电极层上再镀上一层Au，得到第一基板；2)对第一基板进行清洗，达到去油效果后，用浓度为5％‑10％的H2SO4进行表面活化；3)将含磷0.04‑0.065wt％的磷铜阳极进行黑化1‑5h，然后进行清洗；4)将经过步骤2)处理后的第一基板与经过步骤3)处理后的磷铜阳极放入镀铜液中进行电镀,得到电镀样品；5)电镀完成后,对电镀样品进行清洗，去除残余的镀铜液，得到铜基板。

【技术特征摘要】
1.一种用于垂直结构LED芯片的铜基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在外延片表面蒸镀一层P型金属电极层，所述P型金属电极层中的金属为Cr或Pt,采用光刻或蒸镀技术在P型金属电极层上再镀上一层Au，得到第一基板；2)对第一基板进行清洗，达到去油效果后，用浓度为5％-10％的H2SO4进行表面活化；3)将含磷0.04-0.065wt％的磷铜阳极进行黑化1-5h，然后进行清洗；4)将经过步骤2)处理后的第一基板与经过步骤3)处理后的磷铜阳极放入镀铜液中进行电镀,得到电镀样品；其中，电场方向垂直、电镀时间3-6h，其中电流变化趋势呈n型，即第一小时和最后一小时用同样电流，剩余时间电流大于该值；5)电镀完成后,对电镀样品进行清洗，去除残余的镀铜液，得到铜基板。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：广州市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44