一种半导体器件的圆片级封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体器件的圆片级封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基衬底和带有正负电极的LED芯片，所述硅基衬底的上表面为绝缘层Ⅰ、下表面为绝缘层Ⅱ，所述硅基衬底与LED芯片的横截面的面积比最小可达1.5:1，所述绝缘层Ⅰ的上表面设置再布线金属层，所述LED芯片倒装于再布线金属层的表面，所述LED芯片的垂直区域之外设置至少两个硅通孔，所述绝缘层Ⅱ的下表面设置至少两个导电电极，所述导电电极选择性地覆盖对应的硅通孔，所述硅基衬底的上方设置表面经过粗化处理的包封LED芯片的透光层。本实用新型专利技术形成了同等尺寸芯片的封装结构尺寸更小、热阻值更低、成本更低而亮度更高的半导体器件的圆片级封装结构。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件的圆片级封装结构，属于半导体封装

技术介绍
诸如发光二极管(Lighlt-Emitting D1de，简称LED)的发光元件芯片是通过PN结形成发光源来发射各种颜色的光的半导体器件。随着电子技术的发展，LED电子产品的封装密度要求越来越高。理论上，当封装基板厚度越小，相应的封装热阻值越小，LED芯片工作时候的节点温度越低，芯片的电光转化效率就越高，LED芯片的亮度就越高。因此，在一定意义上，小型化与低热阻值是在保证LED芯片高亮度的情况下对市场低成本要求的不懈追求。传统的陶瓷基板与引线框架的LED封装结构，其在封装尺寸上受基板制造能力的限制，在LED封装小型化方面难以取得突破，传统封装面积与LED芯片面积的横截面比在2:1以上，从而导致封装成本难以下调，而其热阻值在8-15°C/W (差异源于基板导热系数的不同)，电光转化效率大致在25%至45%。因此以陶瓷封装与引线框架为代表的传统封装形式难以实现小型化、低热阻值、高亮度、低成本此四者的兼顾。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述传统半导体器件的封装不足，提供一种同等尺寸芯片的封装结构尺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的圆片级封装结构，其包括硅基衬底（1）和带有正负电极的LED芯片（5），所述硅基衬底（1）的上表面为绝缘层Ⅰ（121）、下表面为绝缘层Ⅱ（122），其特征在于：所述硅基衬底（1）与LED芯片（5）的横截面的面积比最小达1.5:1，所述绝缘层Ⅰ（121）的上表面设置再布线金属层，所述再布线金属层的最外层为银层或铝层，所述LED芯片（5）倒装于再布线金属层的表面，所述再布线金属层于该LED芯片（5）的正负电极之间分开形成彼此绝缘的再布线金属层图案Ⅰ（21）和再布线金属层图案Ⅱ（22），所述LED芯片（5）的垂直区域之外设置至少两个硅通孔（11），所述硅通孔（11）上下贯穿硅基衬底（1...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎，赖志明，陈栋，陈锦辉，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32