化学机械抛光装置用晶片定位环制造方法及图纸

本发明专利技术公开了将晶片定位到化学机械抛光设备上的晶片定位环，它可以防止晶片受到损害，它具有优良的耐磨耗性，可以减少更换的工作，从而实现抛光晶片的规模生产。在用于化学机械抛光设备的晶片定位环的表面上，其中至少与晶片接触的部分，由包括至少３０重量％聚苯并咪唑的树脂组合物构成。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光(以后称之为“CMP”)装置用晶片定位环。
技术介绍
在最近几年，LSI的制造转向高密度集成方向，即，256兆位和进一步到千兆位。为了实现LSI的较高密度集成，例如电线图案和绝缘层必需采用多层层状结构和细微的设计规则。当分层和形成精密图案同时进行时，分层的时候，在具有凹凸表面的较低层上形成抗蚀图形，该抗蚀图形反过来影响抗蚀剂的曝光。特别是，当底层的抗蚀涂层表面不平坦时，例如源自底层凹凸表面曝光光线的反射槽，使得使用预定分辨率很难形成抗蚀图像。为了解决抗蚀剂曝光中存在的问题，人们已经开发和使用了许多使抗蚀涂层表面平坦化的方法。其中的一种方法就是用CMP设备，该方法已经应用于一些领域。最近还采用了四分之一微米或更小的设计规则，这里我们特别关注CMP技术。CMP设备图参见图1，其中图1A为沿旋转中心轴的剖面图，图1B为俯视图。这个设备包括，具有平坦表面的旋转底座1；在底座表面设计有至少一个抛光衬垫2，它和底座一起旋转；向抛光衬垫上进浆料的工具(没有画出来)；晶片定位环4(也可以称为“固定环”或“载环”)，其面对抛光衬垫，并围绕在半导体晶片3周围，将半导体晶片3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光设备的晶片定位环，用于将晶片定位到化学机械抛光设备上，其中晶片定位环的表面上至少与晶片接触的部分，由包括至少３０重量％聚苯并咪唑的树脂组合物构成。

【技术特征摘要】
JP 2001-8-3 236783/20011.一种化学机械抛光设备的晶片定位环，用于将晶片定位到化学机械抛光设备上，其中晶片定位环的表面上至少与晶片接触的部分，由包括至少30重量％聚苯并咪唑的树脂组合物构成。2.如权利要求1所述的化学机械抛光设备的晶片定位环，其中所述的树脂组合物进一步包括至多70重量％的聚芳基酮。3.如权利要求1或2所述的化学机械抛光设备的晶片定位环，其中所述的树脂...

【专利技术属性】
技术研发人员：大下哲也，相泽雅美，坂本胜幸，
申请(专利权)人：AZ电子材料日本株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]