【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
在图21中，示出在晶片上形成半导体电路后进行的半导体装置的制造工序中的以检查工序为主的流程的一例，其中以代表性的半导体装置的出货形态即封装品、裸片及CSP为例。在半导体装置的制造工序中，如图21所示，从大的方面区分，进行如下三种检查。首先是在晶片上形成半导体元件电路及电极的晶片状态下进行的把握导通状态及半导体元件的电信号动作状态的晶片检查，其次是将半导体元件置于高温及高施加电压的状态下摘出不稳定的半导体元件的预烧筛选(burn-in，以下简称“筛选”)检查，以及在半导体装置出货前把握制品性能的分级检查。作为在进行这种半导体装置的检查中使用的装置(半导体检查装置)的现有技术，有日本专利特开昭64-71141号公报(以下称其为专利文献1)。此技术是采用在两端具有插针(可动插针)的弹簧探针。就是说，使弹簧探针的一端侧的可动插针接触检查对象物(例如晶片状态的半导体元件)，通过电连接进行检查。另外，作为另一种现有技术，有特开平8-50146号公报(以下称其为专利文献2)。此技术是通过将硅的各向异性刻蚀产生的孔穴作为型材形成的接触端子与检查对象...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种探针片，其特征在于包括与设置于晶片上的电极接触的接触端子，从该接触端子引出的布线，和与该布线电连接的电极焊盘，该电极焊盘的间距比该接触端子的间距更宽。2.如权利要求1中所述的探针片，其特征在于该接触端子按照在晶片上形成的半导体元件的周边电极的排列进行配置，该电极焊盘以格子状配置。3.如权利要求1中所述的探针片，其特征在于在该电极焊盘内，设置有至少除掉设置了信号系统的电极焊盘的部分的金属片。4.如权利要求1中所述的探针片，其特征在于该金属片的线膨胀系数与该晶片的线膨胀系数大致相等。5.如权利要求3中所述的探针片，其特征在于该金属片是42合金片。6.如权利要求1中所述的探针片，其特征在于在设置该接触端子的面上，设置有与上述晶片的接触面积与该接触端子相比更大的伪端子。7.如权利要求1中所述的探针片，其特征在于该接触端子是以由具有结晶性的基板的各向异性刻蚀产生的孔穴作为型材作成的。8.一种探针卡，其特征在于包括与设置于晶片上的电极相接触的探针片、和在与该晶片对置的面上设置了与该接触端子电连接的电极的多层布线基板，设置于该多层布线基板的与该晶片对置的面上的电极的间距比该接触端子的间距更宽。9.如权利要求8中所述的探针卡，其特征在于该接触端子按照在该晶片上形成的半导体元件的周边电极的排列进行配置，该多层布线基板的电极以格子状配置。10.如权利要求8中所述的探针卡，其特征在于该多层布线基板的电极设置于该多层布线基板的元件对置区域中。11.如权利要求8中所述的探针卡，其特征在于在该多层布线基板的元件对置区域中至少承载电容、电阻、熔断器中的一个。12.如权利要求8中所述的探针...
【专利技术属性】
技术研发人员：春日部进，长谷部健彥，成塚康则，长谷部昭男，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：
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