【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示器件和制造显示器件的方法，更为特别地，涉及液晶显示器件和制造液晶显示器件的方法。
技术介绍
通常，阴极射线管(CTR)装置已经被普遍用于显示图像。然而，由于它们尺寸和重量的限制，CRT装置日益被尺寸小、重量轻且具有薄外形和低功耗的液晶显示(LCD)器件所替代。LCD器件包括阵列基板，其上布置有薄膜晶体管(TFT)；滤色器基板，其上形成有红、绿和蓝色滤色器层，并且该滤色器基板附连于阵列基板；和插入在阵列基板与滤色器基板之间的液晶材料。通过利用包括几个掩模步骤的光刻工艺对金属和绝缘层进行构图和刻蚀来形成所述阵列基板和滤色器基板。阵列基板的制造包括第一掩模步骤，其中，将金属层淀积在透明玻璃基板上，然后刻蚀该金属层以形成选通汇流线(gate bus line)和栅极。接着，在第二掩模步骤期间，在透明玻璃基板上涂覆栅极绝缘层、非晶硅膜和掺杂非晶硅膜以形成有源层。然后，第三掩模步骤包括在玻璃基板上淀积源/漏金属膜并对该金属膜进行构图，以在有源层上形成源极/漏极并形成数据汇流线。在第四掩模步骤期间，在玻璃基板上淀积钝化膜并在该钝化膜中形成接触孔。然后，在第...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造液晶显示器件的方法，包括步骤利用第一掩模工艺在基板上形成栅极、选通汇流线和选通焊盘；在基板的整个表面上形成栅极绝缘层和有源层；在基板的整个表面上形成第一有机材料膜；除去部分第一有机材料膜以暴露选通焊盘的第一部分；在基板的整个表面上淀积透明膜；利用第二半色调掩模对透明膜进行构图，以形成数据汇流线、源极、漏极、像素电极、沟道层、和欧姆接触层；利用第三掩模暴露部分数据焊盘和部分数据汇流线；在基板的整个表面上形成第二有机材料膜；在数据汇流线上淀积低电阻材料；在基板上涂覆钝化膜；利用移去工艺除去第二有机材料膜，以暴露选通焊盘的第二部分和数据焊盘的第一部分。2.根据权利要求1的方法，其中在有源层上同时形成像素电极、源极、漏极和数据汇流线。3.根据权利要求1的方法，其中透明电极材料包括铟锡氧化物。4.根据权利要求1的方法，其中低电阻材料包括Cu、Ag、Au、Ti和W中的至少一种。5.根据权利要求1的方法，其中淀积低电阻材料的步骤包括电镀方法和无电镀覆方法之一。6.根据权利要求1的方法，其中除去部分第一有机材料膜的步骤包括刻蚀工艺。7.一种制造液晶显示器件的方法，包括以下步骤在基板上形成栅极、选通汇流线和选通焊盘；在基板的整个表面上形成栅极绝缘层、有源层和透明膜；对有源层和透明导电膜进行构图，以形成数据汇流线、数据焊盘、源极、漏极、像素电极、沟道层、和欧姆接触层；在基板的整个表面上形成钝化层；以及暴露部分选通焊盘和部分数据焊盘；其中数据汇流线和源极、漏极以及像素电极包括透明导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：林柄昊，
申请(专利权)人：LG飞利浦LCD有限公司，
类型：发明
国别省市：
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