半导体探针、用于测试量子电池的测试装置和测试方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种采用半导体探针测试量子电池的装置和方法，其中，能够在量子电池的制作工艺中途评价充电层的电特性而不引起损伤。在由电极(54)和金属氧化物半导体(56)层叠在支持体(52)上所构成的半导体探针(50)上，使用与量子电池相同的材料制作探针充电层(58)，并照射紫外线。使用与量子电池相同的材料在半导体探针(50)上形成探针充电层(58)，使得可以在不损伤量子电池的充电层的情况下进行评价。提供使用设置有探针充电层(58)的半导体探针(50)，通过电压计(64)和恒流电源(62)或放电电阻(66)来测定量子电池制作中途的充电层(18)的充放电特性的测试装置和测试方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体探针、用于测试基于新型操作原理的全固态电池的测试装置和测试方法，所述新型操作原理为：利用通过紫外线照射引起的金属氧化物的光致激发结构变化以在带隙中形成能级，从而捕获电子。
技术介绍
作为用于电动车和移动装置的二次电池，经常安装有镍氢二次电池。最近，作为能够增加输出和容量的二次电池，已经开发出锂离子电池，并且处于开始实用化的阶段。通过使用含锂的金属复合氧化物作为阴极以及能够收容和释放出锂的材料如碳作为阳极，并且将其浸渍于由能够离解成离子的锂盐和能够溶解所述锂盐的有机溶剂组成的电解液，制备锂离子电池(参照专利文献1等)。由于电解液为液体，因此可能会发生漏液，并且由于使用了易燃材料，有必要提高在误用时电池的安全性，因此也公开了使用固态电解质替代电解液的全固态锂二次电池(参照专利文献2等)。由于使用作为稀有金属的锂，锂离子电池的成本昂贵，因此，在性能面也要求高性能且大容量的二次电池。在这样的情况下，本申请专利技术者提出了结构简单从而能够降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体探针，其是通过层叠以下而构成的：导电性电极；由金属氧化物半导体制成的金属氧化物半导体层；向其中充入电能的充电层；和支持体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体探针，其是通过层叠以下而构成的：
导电性电极；
由金属氧化物半导体制成的金属氧化物半导体层；
向其中充入电能的充电层；和
支持体。
2.根据权利要求1所述的半导体探针，其中，所述充电层是覆盖有绝缘
材料的n-型金属氧化物半导体。
3.根据权利要求1所述的半导体探针，其中，所述充电层是n-型金属氧
化物半导体，所述n-型金属氧化物半导体覆盖有绝缘材料，并且通过紫外线照
射发生光致激发结构变化以在带隙中形成能级，从而捕获电子。
4.根据权利要求2所述的半导体探针，其中，所述n-型金属氧化物半导
体是二氧化钛、氧化锡和氧化锌中的一种；或通过组合二氧化钛、氧化锡和氧
化锌中的两种或三种而制成的复合材料。
5.根据权利要求2所述的半导体探针，其中，覆盖所述n-型金属氧化物
半导体的绝缘材料是绝缘树脂或无机绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的半导体探针，其中，所述金属氧化物半导体是
p-型半导体。
7.根据权利要求6所述的半导体探针，其中，所述p-型半导体是氧化镍
或氧化铜/氧化铝。
8.根据权利要求1所述的半导体探针，其中，所述金属氧化物半导体是
n-型半导体。
9.根据权利要求8所述的半导体探针，其中，所述n-型半导体是二氧化
钛、氧化锡和氧化锌中的一种；或通过组合二氧化钛、氧化锡和氧化锌中的两
种或三种而制成的复合材料。
10.根据权利要求1所述的半导体探针，其中，所述电极是导电性金属。
11.根据权利要求1所述的半导体探针，其中，所述支持体的至少一部分
为弹性体。
12.根据权利要求1所述的半导体探针，其中，所述支持体为圆柱形状。
13.根据权利要求12所述的半导体探针，其中，圆柱形状的所述支持体
配置有接地电极部。
14.一种充/放电特性测试装置，包括：
根据权利要求1所述的半导体探针；
待测量的目标物；
进行充/放电的充/放电电流源；以及
在充/放电时对待测量的目标物的电压进行测量的电压计。
15.根据权利要求14所述的测试装置，其中，在待测量的目标物中，导
电性基电极或基电极和n-型金属氧化物半导体层层叠在基板上。
16.根据权利要求14所述的测试装置，其中，在待测量的目标物中，基
电极或基电极和n-型金属氧化物半导体层叠在基板上，并且在其上进一步层叠
由覆盖有绝缘材料的n-型金属氧化物半导体构成的充电层。
17.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：出羽晴匡，桧皮清康，中泽明，
申请(专利权)人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司，刮拉技术有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP