【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示(LCD)器件，具体涉及一种，在使用低端玻璃(Low End Glass)制作衬底的情况下能够利用吸收效应或中和作用防止衬底中所含的流动离子渗入半导体层。
技术介绍
随着信息社会的发展，对各种显示器件的需求不断增加。因此，人们付出许多努力研发各种平板显示器件，例如有液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光显示器(ELD)和真空荧光显示器(VFD)。在各种类型设备的显示器中已经使用了某些类型的平板显示器件。在各种平板显示器件中，液晶显示(LCD)器件因其重量轻，尺寸薄以及功耗低的优质特性而得到了广泛的应用。LCD器件因此而替代了阴极射线管(CRT)。除了笔记本电脑用的显示器等移动式LCD器件之外，还开发了计算机监视器用和电视机用可接收和显示广播信号的LCD器件。普通LCD器件包括一个用来显示图像的LCD面板和用来对LCD面板提供驱动信号的驱动器。LCD面板包括粘接到一起的第一和第二玻璃衬底，在二者之间有一个间隙，以及注入第一和第二玻璃衬底之间的一个液晶层。第一玻璃衬底(TFT阵列衬底)包括多条栅极和数据线，多个象素电极...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制作薄膜晶体管阵列衬底的方法，包括在衬底上形成一个缓冲层；和在缓冲层中安置杂质离子；和在缓冲层上形成一个象素电极和一个包括半导体层的薄膜晶体管。2.按照权利要求1的方法，其特征在于，衬底为一种钠钙玻璃衬底。3.按照权利要求1的方法，其特征在于，缓冲层是用至少一种氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层和有机绝缘层形成的。4.按照权利要求1的方法，其特征在于，杂质离子为磷离子或氯离子。5.按照权利要求1的方法，其特征在于，在缓冲层表面上形成一个磷硅玻璃层，用缓冲层中安置的磷离子吸收渗入缓冲层的流动离子。6.按照权利要求5的方法，其特征在于，在包括磷硅玻璃层的缓冲层上还包括另一个缓冲层。7.按照权利要求1的方法，其特征在于，安置的杂质离子形成杂质离子的高斯分布。8.按照权利要求7的方法，其特征在于，杂质离子的高斯分布尖峰位于玻璃衬底和缓冲层之间的界面上。9.按照权利要求1的方法，其特征在于，杂质离子为氯离子，并且在缓冲层与衬底之间的界面上形成一个反应层，用来中和渗入缓冲层的流动离子。10.按照权利要求1的方法，其特征在于，安置包括植入，等离子体处理，掺杂，离子浴，扩散，化学蒸汽沉积，溅射和干法蚀刻之一。11.一种制作薄膜晶体管阵列衬底的方法，包括在玻璃衬底上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成第二缓冲层；和在玻璃衬底表面与第二缓冲层外表面之间形成一个反应层；在第二缓冲层上形成一个象素电极和一个包括半导体层的薄膜晶体管。12.按照权利要求11的方法，其特征在于，反应层是通过在第一缓冲层中安置杂质离子而形成的。13.按照权利要求11的方法，其特征在于，反应层是通过在第二缓冲层中安置杂质离子而形成的。14.按照权利要求12或13的方法，其特征在于，安置包括植入、等离子体处理、掺杂、离子浴、扩散、化学蒸汽沉积、溅射和干法蚀刻之一。15.按照权利要求11的方法，其特征在于，衬底为一种钠钙玻璃衬底。16.按照权利要求11的方法，其特征在于，第一和第二缓冲层是用氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层和有机绝缘层当中的任何一种形成的。17.按照权利要求11的方法，其特征在于，安置的杂质离子形成杂质离子的高斯分布。18.按照权利要求17的方法，其特征在于，杂质离子的高斯分布尖峰位于第一和第二缓冲层之间的界面上。19.按照权利要求17的方法，其特征在于，杂质离子的高斯分布尖峰位于第一缓冲层与玻璃衬底之间的界面上。20.按照权利要求11的方法，其特征在于，反应层是通过掺杂磷离子形成的一个磷硅玻璃层，用来在第一缓冲层和第二缓冲层之间的界面上吸收由玻璃衬底渗入的流动离子。21.一种薄膜晶体管阵列衬底，包括一个玻璃衬底；玻璃衬底上的缓冲层；玻璃衬底表面与缓冲层外表面之间的一个反应层；以及缓冲层上的薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列具有至少一个半导体层，一个薄膜晶体管，和一个象素电极。22.按照权利要求21的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，反应层是通过氯或磷与缓冲层的反应形成的。23.按照权利要求21的薄膜晶体管阵列衬底，其特征在于，缓冲层是氮化硅层、氧化硅层...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴载映，南承熙，
申请(专利权)人：LG菲利浦LCD株式会社，
类型：发明
国别省市：
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