薄膜晶体管及其电子器件和制造方法技术

一种薄膜半导体器件，包括：一柔性基底；一形成在该柔性基底上的半导体芯片；以及　一密封该半导体芯片的保护盖层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜半导体器件和使用该薄膜半导体器件的电子器件及其制造方法，尤其涉及安装于柔性基底上的具有改善的耐用性的薄膜半导体器件和使用该薄膜半导体器件的电子器件及其制造方法。
技术介绍
传统的平板显示装置如薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)或薄膜晶体管有机发光二极管(TFT-OLED)，通常是在玻璃基底上形成非晶硅TFT或多晶硅TFT的薄膜半导体器件。最近，替代平板显示装置玻璃基底的柔性基底如塑料基底的研究业已进行。平板显示器件用的柔性基底有耐用、重量轻、柔韧性等优点，以至于其可用于移动器件。然而，当半导体芯片在柔性基底上形成的情况下，由于柔性基底的弯曲或折叠，可能导致半导体芯片破裂。传统的TFT-LCD包括无机薄膜形成的多晶硅TFT。在这种情况下，由于TFT部分的弹性系数大，当TFT因柔性基底弯曲而发生轻微变形时，TFT-LCD则容易破裂。另一方面，由于TFT占据了单元像素总面积的大约1％，就应该防止TFT的变形以防止由柔性基底弯曲使TFT变形而引起的半导体器件的破损。图1是用于防止TFT变形的传统的TFT-LCD结构的剖面图，其已在韩国专利No.2001-84247中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜半导体器件，包括一柔性基底；一形成在该柔性基底上的半导体芯片；以及一密封该半导体芯片的保护盖层。2.如权利要求1所述的薄膜半导体器件，其中该保护盖层的抗拉强度大于30GPa。3.如权利要求1所述的薄膜半导体器件，其中该保护盖层的硬度大于200。4.如权利要求1所述的薄膜半导体器件，其中该保护盖层形成于该半导体器件的上表面上。5.如权利要求1所述的薄膜半导体器件，其中该保护盖层形成于该半导体芯片的上表面上和该半导体芯片与该柔性基底之间。6.如权利要求1所述的薄膜半导体器件，其中该半导体芯片是薄膜晶体管、薄膜二极管和金属绝缘体金属中的任意一种。7.如权利要求1所述的薄膜半导体器件，其中该保护盖层由紫外固化树脂、X射线固化材料、电子束固化材料和离子束固化材料中的任意一种构成。8.如权利要求1所述的薄膜半导体器件，其中该柔性基底由塑料和薄金属膜中的任意一种构成。9.如权利要求1所述的薄膜半导体器件，其中该柔性基底为厚度小于100μm的玻璃基底。10.一种电子器件，包括一柔性基底和一形成在该柔性基底上的半导体芯片，该电子器件包含一密封该半导体芯片的保护盖层。11.如权利要求10所述的电子器件，其中该保护盖层的抗拉强度大于30GPa。12.如权利要求10所述的电子器件，其中该保护盖层的硬度大于200。13.如权利要求10所述的电子器件，其中该保护盖层形成于该半导体芯片的上表面上。14.如权利要求10所述的电子器件，其中该保护盖层形成于该半导体芯片的上表面上和该半导体芯片与该柔性基底之间。15.如权利要求10所述的电子器件，其中该半导体芯片是薄膜晶体管、薄膜二极管和金属绝缘体金属中的任意一种。16.如权利要求10所述的电子器件，其中该保护盖层由紫外固化树脂、X射线固化材料、电子束固化材料和离子束固化材料中的任意一种构成。17.如权利要求10所述的电子器件，其中该柔性基底由塑料和薄金属膜中的任意一种构成。18.如权利要求10所述的电子器件，其中该柔性基底为厚度小于100μm的玻璃基底。19.如权利要求10所述的电子器件，还包括与该半导体芯片连接的液晶显示器或有机发光二极管。20.一种电子器件的制造方法，该方法包括(a)在一柔性基底上制造一薄膜半导体芯片；(b)涂敷一保护盖层来密封该半导体芯片；(c)在该基底上沉积一绝缘层以覆盖该保护盖层；(d)形成一接触孔，该接触孔贯穿该半导体芯片的上表面上的该绝缘层和该保护盖层；以及(e)形成一通过该接触孔与该半导体芯片电连接的电极，并在该电极上形成一被驱动单元，该被驱动单元由该半导体芯片驱动。21.一种电子器件的制造方法，该方法包括(a)在一柔性基底上制造一薄膜半导体芯片；(b)涂敷一保护盖层来密封该半导体芯片；(c)形成一贯通该保护盖层至该半导体芯片的上表面的接触孔；以及(d)形成一通过该接触孔与该半导体芯片电连接的电极，并在该电极上形成一被驱动单元，该被驱动单元由该半导体芯片驱动。22.一种电子器件的制造方法，该方法包括(a)在一柔性基底上涂敷一第一保护盖层，并构图该第一保护盖层为一预定图形；(b)在该第一保护盖层上制造一薄膜半导体芯片；(c)涂敷一第二保护盖层来密封该半导体芯片；(d)在该第二保护盖层和该基底上沉积一绝缘层；(e)形成贯通该半导体芯片的上表面上的该绝缘层和该第二保护盖层的一接触孔；以及(f)形成一通过该接触孔与该半导体芯片电连接的电极，并在该电极上形成一被驱动单元，该被驱动单元由该半导体芯片驱动。23.一种电子器件的制造方法，该方法包括(a)在一柔性基底上涂敷一第一保护盖层，并构图该第一保护盖层为一预定图形；(b)在该第一保护盖层上制造一薄膜半导体芯片；(c)涂敷一第二保护盖层来密封该半导体芯片；(d)形成一贯通...

【专利技术属性】
技术研发人员：金道映，朴玩濬，朴永洙，李俊冀，闵约赛，权章渊，徐顺爱，崔荣敏，蔡洙杜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：