【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通过将半导体薄膜例如LED外延膜接合到衬底上形成的半导体器件、使用该半导体器件的LED打印头、使用该LED打印头的图像形成设备以及制造半导体器件的方法。
技术介绍
在常规技术中，通过接合引线进行LED芯片和用于驱动和控制LED芯片的驱动器IC芯片之间的电连接(例如，日本专利特许公开No.2001-244543)。图13是表示其中LED芯片和驱动器IC芯片通过接合引线连接的常规半导体器件的透视图，而图14是示出图13的LED芯片放大了的透视图。如图13或图14中所示，半导体器件包括单元板301、LED芯片302和驱动器IC芯片303。LED芯片302包括发光部件304、分立电极305和电极焊垫306。LED芯片302的电极焊垫306和接合IC芯片303的电极焊垫307通过接合引线308连接。而且，驱动器IC芯片303的电极焊垫309和单元板301的电极焊垫310通过接合引线311连接。然而，在前述的常规半导体器件中，电极焊垫306的表面积(例如，约为100μm×100μm的量级)比由LED芯片302上的发光部件304所占的表面积更大。因此，只要提供电...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底（１２、５２）；和接合到所述衬底（１２、５２）的半导体薄膜（１４、５４）；其中所述的半导体薄膜（１４、５４）包括多个分立工作区（１４ａ、５４ａ），每一个分立工作区具有工作层，以及元件隔离区（ １４ｂ、５４ｂ），其是将多个分立工作区（１４ａ、５４ａ）的所述工作层（２３）相互隔离的所述半导体薄膜（１４、５４）的变薄区域。
【技术特征摘要】
JP 2003-9-11 319423/031.一种半导体器件，包括衬底(12、52)；和接合到所述衬底(12、52)的半导体薄膜(14、54)；其中所述的半导体薄膜(14、54)包括多个分立工作区(14a、54a)，每一个分立工作区具有工作层，以及元件隔离区(14b、54b)，其是将多个分立工作区(14a、54a)的所述工作层(23)相互隔离的所述半导体薄膜(14、54)的变薄区域。2.根据权利要求1的半导体器件，其中所述的半导体薄膜(14、54)的接合面积比所述多个分立工作区(14a、54a)的总面积更大。3.根据权利要求1的半导体器件，其中所述的衬底(12、52)是包括集成电路的驱动电路衬底。4.根据权利要求1的半导体器件，还包括分立互连层(32、72)，其从所述分立工作区(14a、54a)的顶部穿过所述元件隔离区(14b、54b)延伸到所述衬底(12、52)的顶部。5.根据权利要求1的半导体器件，其中所述的半导体薄膜(14、54)包括多层半导体外延结构，从所述衬底(12、52)一侧依次包括下部接触层(21、61)、下部包层(22、62)、激活层(23、63)作为所述工作层、上部包层(24、64)和上部接触层(25、65)，其中所述的元件隔离区(14b、54b)包括所述的下部接触层(21、61)和部分所述的下部包层(22、62)。6.根据权利要求1的半导体器件，其中所述的半导体薄膜(14、54)包括多层半导体外延结构，从所述衬底(12、52)一侧依次包括下部接触层(21、61)、下部包层(22、62)、激活层(23、63)作为所述工作层、上部包层(24、64)和上部接触层(25、65)，其中所述的元件隔离区(14b、54b)包括部分所述的下部接触层(21、61)。7.根据权利要求6的半导体器件，还包括公共互连层(74)，从所述元件隔离区(54b)的所述下部接触层(61)的顶部延伸到所述衬底(52)的顶部。8.根据权利要求1至7中任何之一的半导体器件，还包括介于所述衬底(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：铃木贵人，藤原博之，
申请(专利权)人：日本冲信息株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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