放射线检测器制造技术

本发明专利技术的放射线检测器具有位于放射线感应半导体的前表面上放射线检测有效区域外侧位置的电绝缘缓冲器座。用于施加偏置电压的公共电极覆盖缓冲器座。用于提供偏置电压的导线与该公共电极表面上位于缓冲器座上的导线连接区域连接。缓冲器座减小当导线与公共电极连接时产生的冲击。这样，就可以保护半导体和中间层免受损坏，从而避免性能降低。该缓冲器座位于放射线检测有效区域以外。因此，该缓冲器座不会削弱放射线检测功能。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在医药、工业、原子和其它领域中使用的直接转换类型的放射线检测器，它包括用于在放射线的入射时产生电荷的放射线感应半导体。
技术介绍
非直接转换类型放射线检测器首先将放射线(例如X射线)转换为光，然后通过光电转换将光转换为电信号。与非直接转换类型明显不同的是，直接转换类型放射线检测器利用放射线感应半导体将入射放射线(例如X射线)直接转换为电信号。如图1所示，直接转换类型放射线检测器包括有源矩阵衬底51，放射线感应半导体52和用于施加偏置电压的公共电极53。用于施加公共电压的导线54与公共电极53的表面连接。许多收集电极(未示出)以二维矩阵排列的方式形成在有源矩阵衬底51的表面上，该二维矩阵排列设置在放射线检测有效区域SA内。在有源矩阵衬底51的表面上布置有电路(未示出)，用于存储和和读取在放射线入射时由各收集电极收集到的电荷。在有源矩阵衬底51的表面上形成收集电极的位置上层叠放射线感应半导体52，用于在放射线入射时产生电荷。在放射线感应半导体52的前表面上二维地形成用于施加偏置电压的公共电极53。在直接转换类型放射线检测器检测放射线时，从偏置电压源经过用于提供偏置电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种放射线检测器，具有用于在放射线入射时产生电荷的放射线感应半导体，和在该放射线感应半导体的前表面上二维地形成的用于施加偏置电压的公共电极，与该公共电极表面连接的用于提供偏置电压的导线，该检测器包括：电绝缘缓冲器座，位于放射线感应半 导体的前表面上，并处于放射线检测有效区域以外的位置；所述公共电极用于施加偏置电压，并覆盖该缓冲座的至少一部分；其中，用于提供偏置电压的导线与位于缓冲座上的公共电极的表面部分连接。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-10 2003-3179651.一种放射线检测器，具有用于在放射线入射时产生电荷的放射线感应半导体，和在该放射线感应半导体的前表面上二维地形成的用于施加偏置电压的公共电极，与该公共电极表面连接的用于提供偏置电压的导线，该检测器包括电绝缘缓冲器座，位于放射线感应半导体的前表面上，并处于放射线检测有效区域以外的位置；所述公共电极用于施加偏置电压，并覆盖该缓冲座的至少一部分；其中，用于提供偏置电压的导线与位于缓冲座上的公共电极的表面部分连接。2.如权利要求1所述的放射线检测器，还包括有源矩阵衬底，所述有源矩阵衬底包括多个收集电极，所述多个收集电极以位于放射线检测有效区域内的一维或二维排列的方式，形成在有源矩阵衬底的表面上；和位于有源矩阵衬底上的电路，用于存储和读取由各收集电极收集到的电荷；所述放射线感应半导体层叠在有源矩阵衬底的、形成有收集电极的表面上。3.如权利要求1所述的放射线检测器，其中用于提供偏置电压的导线通过导电膏与公共电极连接。4.如权利要求1所述的放射线检测器，还包括在所述放射线感应半导体和所述公共电极之间形成的载流子选择性中间层，所述缓冲器座位于该载流子选择性中间层上。5.如权利要求1所述的放射线检测器，其中在所述放射线感应半导体的表面上直接形成所述公共电极和所述缓冲器座。6.如权利要求1所述的放射线检测器，还包括位于所述放射线检测有效区域内的一维或二维排列的多个收集电极，和在所述放射线感应半导体和所述收集电极之间形成的载流子选择性中间层。7.如权利要求4所述的放射线检测器，其中当在所述公共电极上施加了正的偏置电压时，所述载流子选择性中间层由电子贡献率比空穴贡献率大的材料制成。8.如权利要求4所述的放射线检测器，其中当在所述公共电极上施加负的偏置电压时，所述载流子选择性中间层由空穴贡献率比电子贡献率大的材料制成。9.如权利要求6所述的放射线检测器，其中当在所述公共电极上施加正的偏置电压时，所述载流子选择性中间层由空穴贡献率比电子贡献率大的材料制成。10.如权利要求6所述的放射线检测器，其中当在所述公共电极上施加负...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤贤治，铃木准一，长舟伸也，渡谷浩司，岸本荣俊，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]